ZHCSNL6 March 2022 LM5143
PRODUCTION DATA
表 10-6 展示了此設(shè)計(jì)示例的預(yù)期輸入、輸出和性能參數(shù)。
| 設(shè)計(jì)參數(shù) | 值 |
|---|---|
| 標(biāo)稱輸入電壓 | 48V |
| 輸入電壓范圍（穩(wěn)態(tài)） | 24V 至 52V |
| 輸出電壓 | 5V |
| 熱設(shè)計(jì)電流 (TDC) | 35A |
| 電氣設(shè)計(jì)電流 (EDC) | 50A |
| 開關(guān)頻率 | 300kHz |
| 輸出電壓調(diào)節(jié) | ±1% |
| 關(guān)斷電流 | 4μA |
開關(guān)頻率由電阻器 RRT 設(shè)定為 300kHz。在控制環(huán)路性能方面，目標(biāo)環(huán)路交叉頻率為 45kHz 并且相位裕度大于 50°。輸出電壓軟啟動(dòng)時(shí)間由 100nF 軟啟動(dòng)電容器設(shè)定為 3ms。FPWM 模式運(yùn)行在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)提供恒定的開關(guān)頻率，以實(shí)現(xiàn)可預(yù)測的 EMI 性能和出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。
表 10-7 中列出了所選的降壓穩(wěn)壓器動(dòng)力總成系統(tǒng)器件，并且很多器件都可以從多個(gè)供應(yīng)商處獲得。之所以選擇 MOSFET 是為了獲得更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)功率損耗，詳情如Topic Link Label10.1.1.4中所述。此設(shè)計(jì)采用低 DCR 復(fù)合電感器和陶瓷輸出電容器實(shí)現(xiàn)方案。
| 參考設(shè)計(jì) | 數(shù)量 | 規(guī)格 | 制造商(1) | 器件型號 |
|---|---|---|---|---|
| CIN | 8 | 4.7μF，100V，X7R，1210，陶瓷 | AVX | 12101C475K4Z2A |
| TDK | CNA6P1X7R2A475K | |||
| 4.7μF，100V，X7R，1210，陶瓷 | Murata（村田） | GCM32DC72A475KE02L | ||
| TDK | CGA6M3X7S2A475K | |||
| 10μF，75V，X7R，1210，陶瓷 | TDK | CGA6P1X7R1N106K | ||
| CO | 8 | 47μF，6.3V，X7R，1210，陶瓷 | Murata（村田） | GCM32ER70J476KE19L |
| 6 | 100μF，6.3V，X7R，1210，陶瓷 | Murata | GRT32EC70J107ME13L | |
| CO(BULK) | 1 | 220μF，10V，25mΩ，7343，聚合物鉭 | Kemet（基美） | T598D227M010ATE025 |
| AVX | TCQD227M010R0025E | |||
| LO1、LO2 | 2 | 1.5μH，1.28mΩ，46.7A，13.3mm × 12.8mm × 8mm | Cyntec（乾坤科技） | VCUD128T-1R5MS8 |
| 1.5μH，2.3mΩ，35A，13.5mm × 12.6mm × 6.5mm | Cyntec（乾坤科技） | VCMV136E-1R5MN2 | ||
| 1.5μH，2.8mΩ，32.8A，13mm × 12.5mm × 6.5mm | TDK | SPM12565VT-1R5M-D | ||
| 1.5μH，2.3mΩ，55.3A，13.5mm × 12.5mm × 6.2mm | Würth Elektronik（伍爾特電子） | 744373965015 | ||
| Q1、Q3 | 2 | 60V，11mΩ，4.5nC，DFN5 | Onsemi（安森美） | NVMFS5C673NL |
| Q2、Q4 | 2 | 60V，2.6mΩ，24nC，DFN5 | Onsemi（安森美） | NVMFS5C628NL |
| U1 | 1 | LM514365V 雙通道/兩相同步降壓穩(wěn)壓器 | 德州儀器 (TI) | LM5143RHAR |