將控制器盡可能地靠近功率 MOSFET 放置以最大限度地縮短柵極驅(qū)動器布線長度,如此一來,與模擬和反饋信號以及電流感測相關(guān)的分量便可以通過如下方式加以考慮:
- 分離電源和信號跡線,并使用接地平面來提供噪聲屏蔽。
- 將與 COMP1/2、FB1/2、CS1/2、SS1/2、RES 和 RT 相關(guān)的所有敏感模擬跡線和元件遠離高壓開關(guān)節(jié)點(例如 SW1/2、HO1/2、LO1/2 或 HB1/2)放置,以避免相互耦合。使用內(nèi)部層作為接地平面。特別注意將反饋 (FB) 跡線與電源跡線和元件隔離開來。
- 將上反饋電阻器和下反饋電阻器(需要時)靠近相應(yīng)的 FB 引腳放置,從而使 FB 跡線盡可能短。將跡線從上反饋電阻器布放到相應(yīng)負載處所需的輸出電壓感測點上。
- 以差分對形式布放 CS1/2 和 VOUT1/2 跡線,從而最大限度地減少噪聲拾取,并使用開爾文連接方式連接到適用的分流電阻器(如果進行的是分流電流感測)或連接到感測電容器(如果進行的是電感器 DCR 電流感測)。
- 最大限度地縮小從 VCC1/2 和 VIN 引腳通過相應(yīng)去耦電容器到相關(guān) PGND 引腳的環(huán)路面積。將這些電容器盡可能靠近 LM5143 放置。