ZHCSVU7B July 2024 – June 2025 TMCS1133-Q1
PRODUCTION DATA
參數(shù) | 測試條件 | 值 | 單位 | ||
---|---|---|---|---|---|
通用 | |||||
CLR | 外部間隙(1) | 端子間的最短空間距離 | ≥ 8 | mm | |
CPG | 外部爬電距離(1) | 端子間的最短封裝表面距離 | ≥ 8 | mm | |
CTI | 相對漏電起痕指數(shù) | DIN EN 60112;IEC 60112 | ≥ 600 | V | |
材料組 | 符合 IEC 60664-1 | I | |||
過壓類別(符合 IEC 60664-1) | 額定市電電壓 ≤ 600VRMS | I-IV | |||
VIORM | 最大重復(fù)峰值隔離電壓 | 交流電壓(雙極) | 1697 | VPK | |
VIOWM | 最大增強(qiáng)型隔離工作電壓 | 交流電壓(正弦波);時(shí)間依賴性電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測試,故障率 < 1ppm,請參閱輸入隔離 部分。 | 950 | VRMS | |
1343 | VDC | ||||
最大基本隔離工作電壓 | 交流電壓(正弦波);時(shí)間依賴性電介質(zhì)擊穿 (TDDB) 測試,故障率 < 1000ppm,請參閱輸入隔離 部分。 | 1200 | VRMS | ||
1697 | VDC | ||||
VIOTM | 最大瞬態(tài)隔離電壓 | VTEST = √2 x VISO,t = 60s(鑒定測試); VTEST = 1.2 × VIOTM,t = 1s(100% 生產(chǎn)測試) |
7071 | VPK | |
VIOSM | 最大浪涌隔離電壓(2) | 測試方法符合 IEC 62368-1,1.2/50μs 波形, VTEST = 1.3 × VIOSM(鑒定測試) |
10000 | VPK | |
qpd | 視在電荷(3) | 方法 b1:常規(guī)測試(100% 生產(chǎn)測試)和預(yù)處理(類型測試),Vini = 1.2 × VIOTM,tini = 1s,Vpd(m) = 1.875 × VIORM,tm = 1s | ≤5 | pC | |
CIO | 勢壘電容,輸入至輸出(4) | VIO = 0.4 sin (2πft),f = 1MHz | 0.6 | pF | |
RIO | 隔離電阻,輸入至輸出(4) | VIO = 500V,TA = 25°C | >1012 | ? | |
VIO = 500V,100°C ≤ TA ≤ 125°C | >1011 | ? | |||
VIO = 500V,TS = 150°C | >109 | ? | |||
污染等級 | 2 | ||||
UL 1577 | |||||
VISO | 可承受的隔離電壓 | VTEST = VISO,t = 60s(鑒定測試); VTEST = 1.2 × VISO,t = 1s(100% 生產(chǎn)測試) |
5000 | VRMS |