ZHCAAM2B january 2019 – july 2023 LM124 , LM124-N , LM124A , LM158 , LM158-N , LM158A , LM224 , LM224-N , LM224A , LM258 , LM258-N , LM258A , LM2902 , LM2902-N , LM2902-Q1 , LM2902K , LM2902KAV , LM2904 , LM2904-N , LM2904-Q1 , LM2904B , LM2904B-Q1 , LM2904BA , LM321 , LM324 , LM324-N , LM324A , LM358 , LM358-N , LM358A , LM358B , LM358BA , TS321 , TS321-Q1
“B”后綴指基于改進器件的先進晶圓工藝的新器件變體版本。最大供電電壓增加到 36V；輸入端添加 EMI 濾波器；輸入失調(diào)電壓降低（后綴帶有“A”的器件為 3mV 或 1.8mV）；測試低 VOL 灌入驅(qū)動電流增加（從 12μA 增加至 50μA），以支持更低的電阻反饋網(wǎng)絡(luò)和更大的負載電流；IB 最大值降低（從 –250nA 降至 –35nA）；2kV HBM ESD 是標準配置。大多數(shù)數(shù)據(jù)表規(guī)格使用端接至 1/2 Vs 的負載設(shè)置來匹配現(xiàn)代數(shù)據(jù)表測試條件。