ZHCABM0A February 2019 – April 2022 DRV8242-Q1 , DRV8243-Q1 , DRV8244-Q1 , DRV8245-Q1 , DRV8343-Q1 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8860 , DRV8873 , DRV8873-Q1 , DRV8874 , DRV8874-Q1 , DRV8876 , DRV8876-Q1 , DRV8935 , DRV8955
4.2 獨立的低側(cè)/高側(cè)驅(qū)動
對于高側(cè)和/或低側(cè)驅(qū)動，一些器件具有獨立的 FET 模式，可以驅(qū)動獨立的高側(cè)負載和低側(cè)負載。DRV8714-Q1 和 DRV8343-Q1 柵極驅(qū)動器都支持多種驅(qū)動配置。
DRV8714-Q1 具有分離式高側(cè)和低側(cè)控制特性，能夠?qū)崿F(xiàn)在高側(cè)和低側(cè) FET 之間連接浮動負載。下圖顯示了 DRV8714-Q1 在此配置下驅(qū)動螺線管負載。
圖 4-3 DRV8714-Q1 分離式高側(cè)/低側(cè)控制在此模式下，高側(cè) FET 可以作為開關(guān)控制，而低側(cè) FET 可以由 PWM 控制。
高度可配置的 DRV8343-Q1 可以支持多種相位配置，例如，三個相位中的一個可以是半橋，其他相位是獨立的 FET，一個是 PH/EN，其他是 PWM 等等。
對于獨立的 MOSFET 驅(qū)動模式，INHx 引腳和 INLx 引腳分別控制輸出 GHx 和 GLx。這樣，可以控制模式。在此模式下，可以在給定半橋柵極驅(qū)動器中，同時打開高側(cè)和低側(cè) MOSFET。在此模式下，會繞過集成死區(qū)時間。
| INLx | INHx | GLx | GHx |
|---|---|---|---|
| 0 | 0 | L | L |
| 0 | 1 | L | H |
| 1 | 0 | H | L |
| 1 | 1 | H | H |
圖 4-4 顯示了如何使用 DRV8343-Q1 器件通過一個半橋同時連接高側(cè)負載和低側(cè)負載，并獨立驅(qū)動這些負載。在此模式下，兩個 MOSFET 的 VDS 監(jiān)視器都處于運行狀態(tài)，防止出現(xiàn)過流情況。對于總共 6 個不同螺線管，3 個相位中的每一個都可以做到這一點。請注意，如果半橋僅用于實現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動器，則無需連接未使用的負載。VDS 監(jiān)視器仍可以監(jiān)測過流情況。
圖 4-4 獨立的 PWM 高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器