ZHCABM0A February 2019 – April 2022 DRV8242-Q1 , DRV8243-Q1 , DRV8244-Q1 , DRV8245-Q1 , DRV8343-Q1 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8860 , DRV8873 , DRV8873-Q1 , DRV8874 , DRV8874-Q1 , DRV8876 , DRV8876-Q1 , DRV8935 , DRV8955
2.2 半橋和 H 橋驅(qū)動(dòng)器配置
半橋驅(qū)動(dòng)器使用兩個(gè) MOSFET 來控制通過螺線管的電流；其中一個(gè) MOSFET 用于正向驅(qū)動(dòng)螺線管，另一個(gè)用于電流再循環(huán)。
H 橋驅(qū)動(dòng)器使用四個(gè) MOSFET（或通過一個(gè)一個(gè)負(fù)載連接的兩個(gè)半橋）來控制通過螺線管的電流。使用四個(gè) MOSFET，可以實(shí)現(xiàn)雙向電流控制。這使得 H 橋驅(qū)動(dòng)器成為單線圈和閉鎖或雙線圈繼電器的良好選擇。
圖 2-4 H 橋驅(qū)動(dòng)和再循環(huán)電流路徑
圖 2-5 半橋驅(qū)動(dòng)和再循環(huán)電流路徑雖然半橋只能啟用慢速衰減，但半橋集成了續(xù)流二極管，這通常是一個(gè)外部元件，因此進(jìn)一步減小了解決方案尺寸。此外，使用半橋還可以靈活驅(qū)動(dòng)高側(cè)或低側(cè)負(fù)載。
H 橋驅(qū)動(dòng)器可以通過使用高側(cè)或低側(cè) MOSFET 再循環(huán)電流來同時(shí)實(shí)現(xiàn)慢速衰減和快速衰減（滑行）。圖 2-6 顯示了如何使用 H 橋來驅(qū)動(dòng)具有高側(cè)再循環(huán)的傳統(tǒng)螺線管。
圖 2-6 用于驅(qū)動(dòng)螺線管的 H 橋配置H 橋還可以作為一個(gè)有效的快速放電電路使用?？梢酝ㄟ^關(guān)斷 MOSFET 并允許電流經(jīng)過體二極管來實(shí)現(xiàn)快速衰減。這使得螺線管電流的反向電壓等于 VM 加上兩個(gè)體二極管的正向電壓。圖 2-7 顯示了使用 H 橋時(shí)的快速衰減電流流動(dòng)。
圖 2-7 H 橋快速衰減如果需要快速衰減和改進(jìn)的系統(tǒng)熱性能，H 橋配置可能是合適的選擇。