在此拓?fù)渲校骄姼须娏魇艿接绊?。在降壓配置中，平均電感電流等于平均輸出電流，因?yàn)殡姼锌偸窃诳刂?MOSFET 的導(dǎo)通和關(guān)斷期間為負(fù)載提供電流。而在反相降壓/升壓配置中，負(fù)載僅由輸出電容器提供電流，并且在控制 MOSFET 導(dǎo)通期間與電感器完全斷開(kāi)。在關(guān)斷期間，電感連接到輸出電容和負(fù)載（見(jiàn)圖 1-3）。知道關(guān)斷時(shí)間是開(kāi)關(guān)周期的 1 - D，那么平均電感電流為：

Equation1.

典型降壓轉(zhuǎn)換器的占空比只是 V_OUT/V_IN，但反相降壓/升壓轉(zhuǎn)換器的占空比變?yōu)椋?/p>

Equation2.

最終，電感器最大電流變?yōu)椋?/p>

Equation3.

其中，

D：占空比

?I_L (A)：電感器峰峰值紋波電流

V_IN (V)：相對(duì)于接地（而非 IC 接地或 -V_OUT）的輸入電壓。

TPS62120 的電流限制技術(shù)允許以簡(jiǎn)單方式計(jì)算最大輸出電流。如果電流超過(guò) I_LIMF（高側(cè) MOSFET 電流限制），高側(cè) MOSFET 開(kāi)關(guān)將關(guān)斷，低側(cè) MOSFET 開(kāi)關(guān)將導(dǎo)通，直到電感器電流下降至 0。如果在達(dá)到 0 電流后仍然存在過(guò)載，低側(cè) MOSFET 開(kāi)關(guān)將關(guān)斷，而高側(cè) MOSFET 開(kāi)關(guān)將導(dǎo)通，直到再次達(dá)到電流限值。在電流限制中，電感器的電流從 I_LIMF 變?yōu)?0，其紋波電流變?yōu)?I_LIMF。在此狀態(tài)下運(yùn)行 TPS62120（I_L(Max) 等于 ?I_L(Max) 等于 I_LIMF）會(huì)將平均電感器電流減小至 ? I_LIMF（根據(jù)Equation3）。如果 TPS62120 的最小電流限制值為 200mA，當(dāng)達(dá)到電流限制時(shí)，I_L(Avg) 為 100mA。這樣，可根據(jù)Equation1 和Equation2 計(jì)算出允許的最大輸出電流，例如 5V 輸入電壓至 –5V 輸出電壓系統(tǒng)：

D = –5/(–5 – 5) = 0.5

然后，此結(jié)果將用在Equation1 中：

I_OUT = I_L(Avg) × (1 – D) = 100 × (1 – 0.5) = 50mA

不同輸入電壓下 –5V、–3.3V 和 –1.8V 輸出電壓的最大輸出電流如圖 1-4 所示。

圖 1-4 最大輸出電流與輸入電壓間的關(guān)系