外部功率級(jí)中的高側(cè) N 型 MOSFET 需要比電機(jī)電壓高大約 10V 的電壓，才能完全增強(qiáng) MOSFET。在某些應(yīng)用中，此 FET 需要在整個(gè) PWM 周期內(nèi)（100% 占空比支持）導(dǎo)通，這在提供穩(wěn)壓柵極電壓和柵極電流的設(shè)計(jì)中帶來了挑戰(zhàn)。TI 提供了兩種集成選項(xiàng)來支持高側(cè) MOSFET 增強(qiáng)所需的 100% 占空比：自舉或電荷泵架構(gòu)。

自舉架構(gòu)使用外部自舉電容器來通過外部提供或內(nèi)部生成的柵極驅(qū)動(dòng)電壓 (GVDD) 提供高側(cè) MOSFET 增強(qiáng)。為了刷新自舉電容器，必須斷開高側(cè) FET，并且必須在最短時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通低側(cè) FET。為了支持 100% 占空比，器件中集成了涓流電荷泵，以便增強(qiáng)高側(cè) MOSFET。自舉架構(gòu)成本低、集成度小，且效率高。

電荷泵架構(gòu)集成了倍增或三倍電荷泵控制器，用于調(diào)節(jié)來自電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源電壓的高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電壓。這樣就無需使用外部自舉電容器，并且只需兩個(gè)電容器即可實(shí)現(xiàn)電荷泵運(yùn)行。倍增或三倍電荷泵可滿足更低的最低電源電壓要求，從而生成高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電壓。