DRV84xx、DRV89x2 和 DRV82x2 系列器件包含適用于各種工業(yè)應(yīng)用的寬電壓、高功率驅(qū)動(dòng)器。

DRV84xx：DRV8452、DRV8461 和 DRV8462，具有自動(dòng)扭矩、靜音步進(jìn)衰減模式和自動(dòng)微步進(jìn)的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

自動(dòng)扭矩功能根據(jù)負(fù)載扭矩調(diào)整線圈電流，以此提高系統(tǒng)效率。靜止省電模式可自動(dòng)減少電機(jī)保持狀態(tài)下的功率損耗。靜音步進(jìn)衰減模式可實(shí)現(xiàn)無噪聲運(yùn)行。

采用內(nèi)部電流檢測(cè)架構(gòu)，無需再使用外部功率檢測(cè)電阻，從而縮小 PCB 面積并降低系統(tǒng)成本。DRV8452/DRV8461/DRV8462 的內(nèi)置分度器支持高達(dá) 1/256 微步，自動(dòng)微步進(jìn)模式對(duì)輸入 STEP 信號(hào)進(jìn)行插值，以減少控制器 MCU 的開銷。

無傳感器失速檢測(cè)消除了系統(tǒng)的末端停止。該器件支持保護(hù)和診斷功能，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健可靠的運(yùn)行。

DRV89x2：DRV8952 和 DRV8962，具有電流檢測(cè)輸出的四通道半橋驅(qū)動(dòng)器

器件的輸出級(jí)包括配置為四個(gè)獨(dú)立半橋的 N 溝道功率 MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測(cè)和調(diào)節(jié)電路、電流比例輸出以及保護(hù)電路。

高側(cè) MOSFET 上的集成電流檢測(cè)功能可讓器件在負(fù)載從輸出端接地時(shí)調(diào)節(jié)負(fù)載電流。利用可調(diào)外部電壓基準(zhǔn) (VREF)，可設(shè)置調(diào)節(jié)電流限值。此外，該器件還提供四個(gè)比例電流輸出引腳，每個(gè)引腳對(duì)應(yīng)一個(gè)半橋高側(cè) FET。

該器件提供了低功耗睡眠模式，可實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流。提供的內(nèi)部保護(hù)特性包括：電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 保護(hù)。

DRV82x2：DRV8252 和 DRV8262，具有電流檢測(cè)輸出的單路或雙路 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

該器件集成了兩個(gè) H 橋。兩個(gè) H 橋可以并聯(lián)在一起。如需了解更多信息，請(qǐng)參考數(shù)據(jù)表。

與 DRV89x2 類似，在啟動(dòng)期間和高負(fù)載事件中，高側(cè) MOSFET 上的集成電流檢測(cè)功能可實(shí)現(xiàn)通過驅(qū)動(dòng)器調(diào)節(jié)電機(jī)電流。利用可調(diào)外部電壓基準(zhǔn)，可設(shè)置電流限值。此外，該器件還提供與每個(gè) H 橋的電機(jī)電流成正比的輸出電流。集成檢測(cè)采用電流鏡架構(gòu)，無需大型分流電阻，可以節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。

該器件提供了低功耗睡眠模式，可實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流。提供的內(nèi)部保護(hù)特性包括：電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 保護(hù)。