雖然電容隔離器普遍用于低壓模擬信號(hào)、數(shù)字信號(hào)傳輸或需要有限功率傳輸 (<100μW) 的應(yīng)用，但集成式 IC 磁隔離技術(shù)在需要高頻直流/直流電源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。IC 變壓器耦合隔離的一個(gè)特定優(yōu)勢(shì)是可以在大多數(shù)應(yīng)用中傳輸超過數(shù)百毫瓦的功率，無需次級(jí)側(cè)偏置電源。也可以使用磁隔離來發(fā)送高頻信號(hào)。在需要同時(shí)發(fā)送電源和數(shù)據(jù)的系統(tǒng)中，您可以使用相同的變壓器繞組線圈來滿足功率和信號(hào)需求，如圖 8 所示。

對(duì)于磁隔離，TI 使用專有多芯片模塊方法，協(xié)同封裝高性能平面變壓器與隔離式功率級(jí)和專用控制器裸片。TI 可以使用高性能鐵氧體磁芯來構(gòu)建這些變壓器，以提高耦合和變壓器效率，或者在應(yīng)用只需要適度的功率傳輸時(shí)使用空芯來節(jié)省成本和降低復(fù)雜性。

圖 9 中的示例展示了雙裸片多芯片模塊，它使用專用控制機(jī)制、時(shí)鐘方案和高 Q 值集成平面變壓器，以便實(shí)現(xiàn)低輻射發(fā)射和高效率同時(shí)提供出色的熱性能。變壓器拓?fù)淇赡馨蛇x的頂部和底部鐵氧體板，利用 TI 的專有薄膜聚合物層壓陣列作為絕緣柵。圖 9 中所示的變壓器配置是夾在兩塊并行鐵氧體板之間的聚合物層壓板內(nèi)包含的變壓器繞組的一個(gè)例子。

在許多應(yīng)用中，跨隔離柵所需的功率量適中（低于 100mW）。對(duì)于這些應(yīng)用，TI 開發(fā)了一種用于制造高性能空芯變壓器的技術(shù)。TI 的空心變壓器類似于圖 9 中所示的技術(shù)，但沒有鐵氧體板。

TI 的所有變壓器（空心和鐵氧體鍍層）均采用屏蔽技術(shù)來提供更好的輻射 EMI 性能。在封裝級(jí)采用 EMI 緩解技術(shù)，減少了對(duì)旨在滿足傳導(dǎo)和輻射發(fā)射標(biāo)準(zhǔn)額外的電路板級(jí)濾波的需求。

單一隔離解決方案可能無法適合所有應(yīng)用，因此在設(shè)計(jì)權(quán)衡之間作出取舍時(shí)需要了解不同的參數(shù)和規(guī)格。

了解基本的隔離參數(shù)、認(rèn)證以及如何使用每種類型的器件進(jìn)行設(shè)計(jì)和故障排除，請(qǐng)觀看 TI 精密實(shí)驗(yàn)室 – 隔離培訓(xùn)系列。