ZHCY158C January 2021 – February 2024 AMC1300 , AMC1302 , AMC1302-Q1 , AMC1305M25-Q1 , AMC1311 , AMC1311-Q1 , AMC131M03-Q1 , AMC1336 , AMC1336-Q1 , AMC1350 , AMC1411 , AMC3301 , AMC3301-Q1 , AMC3330 , AMC3330-Q1 , AMC3336 , AMC3336-Q1 , ISOW1044 , ISOW1412 , ISOW7741 , ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7841A-Q1 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844 , UCC12040 , UCC12041-Q1 , UCC12050 , UCC12051-Q1 , UCC14240-Q1 , UCC21222-Q1 , UCC21530-Q1 , UCC21540 , UCC21710-Q1 , UCC21750-Q1 , UCC23513 , UCC25800-Q1 , UCC5870-Q1
隔離方法
因為 IC 可以阻斷直流和低頻交流電流，而允許電源、模擬信號或高速數(shù)字信號通過隔離柵，因此它們是用于在現(xiàn)代高電壓系統(tǒng)中實現(xiàn)隔離的基本構(gòu)建塊。圖 4 展示了三種常用的半導(dǎo)體技術(shù)：光學(xué)（光耦合器）、電場信號傳輸（電容式）和磁場耦合（變壓器）。TI 隔離 IC 使用先進的電容隔離技術(shù)和專有平面變壓器。TI 利用其封裝開發(fā)、隔離和制成技術(shù)，實現(xiàn)高集成、高性能和高可靠性。
圖 4 半導(dǎo)體隔離技術(shù)：光耦合器 (a)；電容式 (b)；變壓器
(c)。每種技術(shù)都依賴一種或多種半導(dǎo)體絕緣材料（例如表 3 中列出的材料）來達到所需的隔離性能水平。更高電介質(zhì)強度的材料對于在給定距離，會有更好的隔離電壓效果。
| 絕緣材料 | 電介質(zhì)強度 |
|---|---|
| 空氣 | 約 1VRMS/μm |
| 環(huán)氧樹脂 | 約 20VRMS/μm |
| 二氧化硅填充的模塑化合物 | 約 100VRMS/μm |
| 聚酰亞胺 | 約 300VRMS/μm |
| SiO2 | 約 500VRMS/μm |