ZHCSI75B April 2008 – January 2016 LM7332
PRODUCTION DATA.
LM7332 的輸出級(jí)設(shè)計(jì)可確保電壓擺幅在任意電源軌的幾毫伏范圍內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)最大的靈活性并擴(kuò)大可用范圍。得益于這種設(shè)計(jì)架構(gòu)，當(dāng)輸出接近任一電源軌時(shí)，輸出晶體管集電極-基極結(jié)反向偏置將減小。當(dāng)輸出低于與任一電源軌的差值 Vbe 時(shí)，相應(yīng)的輸出晶體管將接近飽和狀態(tài)。在這種工作模式下，晶體管表現(xiàn)出更高的結(jié)電容和更低的 ft，而這會(huì)降低相位裕度。當(dāng)噪聲增益（NG = 1 + RF/RG，其中的 RF 和 RG 是外部增益設(shè)置電阻）為 2 或更大值時(shí)，相位裕度足夠大，因此這種相位裕度降低問題無關(guān)緊要。但是，在噪聲增益較小 (<2) 且提供給電源軌的電壓小于 150mV 時(shí)，如果輸出負(fù)載較輕，則相位裕度降低可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振蕩。
在使用 LM7332 的情況下，由于其固有的架構(gòu)細(xì)節(jié)，僅當(dāng)輸出擺幅在 V− 的 150mV 范圍內(nèi)時(shí)，才會(huì)在 V− 處發(fā)生與輸出晶體管相關(guān)的振蕩。但是，如果該輸出晶體管的集電極電流大于其幾微安的空閑值，則相位裕量損失會(huì)變得不明顯。在這種情況下，輸出晶體管需要 300μA 的集電極電流來糾正這種情況。所以，當(dāng)所有上述臨界條件同時(shí)出現(xiàn)時(shí)（NG < 2、VOUT < 150mV（相對(duì)于電源軌）且輸出負(fù)載較輕），為了確保穩(wěn)定性，可在輸出端增加負(fù)載電阻器，從而為輸出晶體管提供必要的最小集電極電流 (300μA)。
例如，工作電壓為 12V（或 ±6V）時(shí)，在輸出端到 V+ 之間添加一個(gè) 39kΩ 的電阻器，即可產(chǎn)生 300μA 的輸出灌電流并確保穩(wěn)定性。這樣一來，相當(dāng)于總靜態(tài)功耗增加約 15%。