ZHCSI75B April 2008 – January 2016 LM7332
PRODUCTION DATA.
LM7332 輸出級(jí)根據(jù)設(shè)計(jì)可提供最大輸出電流能力。即使瞬時(shí)輸出對(duì)地短路并且在所有工作電壓下都能容忍任意電源,但持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的短路狀態(tài)可能會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫上升到超過(guò)器件的絕對(duì)最大額定值,特別是在電源電壓較高的條件下。低于 6V 的電源電壓時(shí),可以無(wú)限期容忍輸出短路狀態(tài)。
運(yùn)算放大器與負(fù)載連接時(shí),該器件的功耗包括由于電源電流流入器件而產(chǎn)生的靜態(tài)功耗以及由負(fù)載電流引起的功耗。負(fù)載功耗本身可包括一個(gè)平均值(由直流負(fù)載電流引起)和一個(gè)交流分量。如果存在輸出電壓偏移或輸出交流平均電流不為零,或如果運(yùn)算放大器工作在單電源應(yīng)用中,而此情況下的輸出保持在線(xiàn)性工作范圍內(nèi)的某處,那么直流負(fù)載電流將會(huì)流動(dòng)起來(lái)。
因此,
運(yùn)算放大器靜態(tài)功耗根據(jù)Equation 6 算出:
where
直流負(fù)載功耗根據(jù)Equation 7 算出:
where
交流負(fù)載功耗的計(jì)算方式為 PAC = Table 1 所示的值。
Table 1 顯示了運(yùn)算放大器在標(biāo)準(zhǔn)正弦波、三角波和方波波形條件下的負(fù)載功耗的最大交流分量:
PAC (W.Ω/V2) | ||
---|---|---|
正弦波 | 三角波 | 方波 |
50.7 x 10−3 | 46.9 x 10−3 | 62.5 x 10−3 |
表格條目標(biāo)準(zhǔn)化為 VS2/RL。要計(jì)算功耗的交流負(fù)載電流分量,只需將對(duì)應(yīng)于輸出波形的表格條目乘以系數(shù) VS2/RL 即可。例如,在 ±12V 電源、600Ω 負(fù)載和三角波波形的條件下,輸出級(jí)中的功耗計(jì)算如下:
特定溫度下允許的最大功耗是允許的最高管芯結(jié)溫 (TJ(MAX))、環(huán)境溫度 TA 和結(jié)至環(huán)境的封裝熱阻 RθJA 的函數(shù)。
對(duì)于 LM7332,允許的最高結(jié)溫為 150°C,在此溫度下不允許有功耗。同樣,25°C 下的功率容量由Equation 10 和Equation 11 算出。
對(duì)于 VSSOP 封裝:
對(duì)于 SOIC 封裝:
同樣,125℃ 下的功率容量由Equation 12 和 Equation 13 算出。
對(duì)于 VSSOP 封裝:
對(duì)于 SOIC 封裝:
Figure 54 顯示了采用 VSSOP 和 SOIC 封裝時(shí)的功率容量與溫度間的關(guān)系。最大熱性能線(xiàn)下面的區(qū)域是器件的工作區(qū)域。當(dāng)器件在 PTOTAL 小于 PD(MAX) 的工作區(qū)域內(nèi)工作時(shí),器件結(jié)溫將保持在 150°C 以下。如果環(huán)境溫度與封裝功率的交匯點(diǎn)高于最大熱性能線(xiàn),則結(jié)溫將超過(guò) 150°C,必須嚴(yán)格禁止這種情況。
當(dāng)需要高功率而又不能降低環(huán)境溫度時(shí),提供氣流是降低熱阻進(jìn)而提高功率容量的有效方法。