ZHCSWO8 August 2024 TLV1H103-SEP
PRODUCTION DATA
當(dāng)設(shè)計(jì)需要檢測(cè)短暫過(guò)流情況時(shí),可以利用 TLV1H103-SEP 的鎖存特性。通過(guò)鎖存比較器輸出,MCU 不會(huì)遺漏任何過(guò)流事件。下面的電路顯示了實(shí)現(xiàn)鎖存功能的一種方法。
當(dāng) TLV1H103-SEP 檢測(cè)到過(guò)流情況時(shí),輸出將切換為高電平。當(dāng)輸出變?yōu)楦唠娖?,再加?MCU 的 RESET 信號(hào)為邏輯高電平時(shí),便會(huì)在 2 通道與非門(mén)的輸出端產(chǎn)生一個(gè)邏輯低電平信號(hào)。這會(huì)導(dǎo)致 TLV1H103-SEP 的輸出保持在邏輯高電平狀態(tài)(鎖存),從而使 MCU 能夠檢測(cè)到故障狀況,而不管過(guò)流情況持續(xù)多短的時(shí)間。通過(guò)添加與非門(mén),還可以在 MCU 處理完事件后清除比較器的鎖存狀態(tài)。這是通過(guò) MCU 將邏輯低電平狀態(tài)傳遞到 NAND 輸入,從而使比較器的 LE/HYS 引腳返回到邏輯高電平狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。鎖存狀態(tài)會(huì)被清除,TLV1H103-SEP 輸出端可以繼續(xù)跟蹤輸入引腳的狀態(tài)。
過(guò)流鎖存輸出電路