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ZHCSWO8 August 2024 TLV1H103-SEP

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

DBV|6
- MPDS026Q

散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購(gòu)信息

zhcswo8_oa

5.5 電氣特性

V_CC = 2.5V/3.3V/5V、V_EE = 0V、V_CM = V_EE + 300mV、C_L = 5pF 探頭電容、T_A = 25°C 時(shí)的典型值（除非另有說(shuō)明）。

參數(shù)		測(cè)試條件	最小值	典型值	最大值	單位
直流輸入特性
V_IO	輸入失調(diào)電壓	T_A = -55°C 至 +125°C	-7	±0.5	7	mV
dV_IO/dT	輸入失調(diào)電壓溫漂			±3.0		μV/°C
V_CM	輸入共模電壓范圍	T_A = -55°C 至 +125°C	V_EE – 0.2		V_CC + 0.2	V
C_IN	輸入電容			1		pF
R_DM	輸入差分模式電阻			67		k?
R_CM	輸入共模電阻			5		MΩ
I_B	輸入偏置電流	T_A = -55°C 至 +125°C		1	5	μA
I_OS	輸入失調(diào)電流			±0.03		uA
CMRR	共模抑制比	V_CM = V_EE – 0.2V 至 V_CC+ 0.2V		80		dB
PSRR	電源抑制比	V_CC = 2.4V 至 5.5V		80		dB
DC 輸出特性
V_OH	來(lái)自 V_CC 的輸出高電壓	I_SOURCE = 1mA T_A = -55°C 至 +125°C		60	80	mV
V_OL	來(lái)自 V_EE 的輸出低電壓	I_SINK = 1mA T_A = –55℃ 至 +125℃		60	80	mV
I_{SC_SOURCE}	輸出短路電流 - 拉電流	T_A = -55°C 至 +125°C	10	30		mA
I_{SC_SINK}	輸出短路電流 - 灌電流	T_A = -55°C 至 +125°C	10	30		mA
電源
I_CC	靜態(tài)電流	輸出為高電平 T_A = –55℃ 至 +125℃		5.7	7.8	mA
V_{POR (postive)}	上電復(fù)位電壓			2.1		V
交流特性
t_PD	傳播延遲	V_OVERDRIVE = V_UNDERDRIVE = 50mV T_A = –55℃ 至 +125℃		2.5	4.5⁽¹⁾	ns
t_{CM_DISPERSION}	常見(jiàn)分散	V_CM 電壓范圍為 V_EE 至 V_CC		80		ps
t_{OD_DISPERSION}	過(guò)驅(qū)分散	過(guò)驅(qū)電壓范圍為 10mV 至 125mV		700		ps
t_{UD_DISPERSION}	欠驅(qū)分散	欠驅(qū)電壓范圍為 10mV 至 125mV		330		ps
t_R	上升時(shí)間	10% 至 90%		0.75		ns
t_F	下降時(shí)間	90% 至 10%		0.75		ns
t_JITTER	RMS 抖動(dòng)	V_IN = 100mV_P-P， f_IN = 100MHz，抖動(dòng)帶寬 = 10Hz – 50MHz		4		ps
f_TOGGLE	輸入切換頻率	V_IN = 200mV_PP 正弦波，當(dāng)輸出高電平達(dá)到 V_CC - V_EE 的 90% 或輸出低電平達(dá)到 V_CC - V_EE 的 10% 時(shí)		325		MHz
脈寬	允許的最小輸入脈沖寬度	V_OVERDRIVE = V_UNDERDRIVE = 50mV PW_OUT = PW_IN 的 90%		1.5		ns
鎖存/可調(diào)遲滯
V_HYST	輸入遲滯電壓	V_HYST = 邏輯高電平		0		mV
V_HYST	輸入遲滯電壓	R_HYST = 懸空		3		mV
V_HYST	輸入遲滯電壓	R_HYST = 150k?		30		mV
V_HYST	輸入遲滯電壓	R_HYST = 56k?		60		mV
V_{IH_LE}	LE 引腳輸入高電平	T_A = -55°C 至 +125°C	V_EE + 1.5			V
V_{IL_LE}	LE 引腳輸入低電平	T_A = -55°C 至 +125°C			V_EE + 0.35	V
I_{IH_LE}	LE 引腳輸入漏電流	V_LE = V_CC T_A = –55℃ 至 +125℃			15	μA
I_{IL_LE}	LE 引腳輸入漏電流	V_LE = V_EE， T_A = –55℃ 至 +125℃			40	μA
t_SETUP	鎖存建立時(shí)間			-1.4		ns
t_HOLD	鎖存保持時(shí)間			7.2		ns
t_PL	鎖存至輸出延遲			7		ns

(1) 由表征保證