ZHCABN2 February 2022 UCC14240-Q1
單個(gè) IGBT 和 SiC 分立式晶體管可采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，如 TO-247 和 TO-263 ，廣泛用于汽車、工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用。但是，由于逆變器和大功率電機(jī)所需的獨(dú)特的三相半橋布置，在鋁基板上構(gòu)建并封裝在塑料中的兩到六個(gè)分立式器件更為常見。這些專用的半橋模塊封裝專為高振動(dòng)和熱管理而設(shè)計(jì)，可由 SiC 或 IGBT 開關(guān)組成。
IGBT 可以在低飽和電壓下承載大量的電流，導(dǎo)致低導(dǎo)通損耗，但受到關(guān)斷損耗、開關(guān)頻率和直流阻斷能力的限制。SiC MOSFET 是 HV 寬帶隙 (WBG) 器件，與硅基 IGBT 晶體管相比，因其優(yōu)越的整體優(yōu)勢(shì)而得到業(yè)界的廣泛認(rèn)可。HV 開關(guān)損耗更低、熱性能更好、裸片尺寸更小、總柵極電荷更低、開關(guān)速度更快、傳導(dǎo)損耗更低，使 SiC 在 HV、大功率轉(zhuǎn)換逆變器中處于領(lǐng)先地位。