Ψ_JT 給出的更準(zhǔn)確的熱指標(biāo)可用于根據(jù)測量 T_C 來更精確預(yù)測結(jié)溫。與 R_ΘJC 不同，Ψ_JT 是使用 UCC14240EVM-052 評(píng)估模塊 (EVM) 測量的，該評(píng)估模塊更準(zhǔn)確地反映了 IC 在實(shí)際 PCB 設(shè)計(jì)中的預(yù)期使用情況。因此，對(duì)于安裝在非 JEDEC 環(huán)境中的封裝，EVM 可用于以合理的精度估算 IC 結(jié)溫。該熱指標(biāo)符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) (JESD51-2)，已被業(yè)界采用，由于 Ψ_JT 不是真正的熱阻，所以用希臘字母 psi (Ψ) 來度量，以區(qū)別于 (θ) 。用 Ψ_JT 計(jì)算 T_J更準(zhǔn)確，其形式與 Equation37 中給出的 R_ΘJA類似。

R_ΘJA 和 Ψ_JT 是基于為單芯片 IC 封裝定義和開發(fā)的測試標(biāo)準(zhǔn)的熱參數(shù)。JESD51-31 中引入了單芯片封裝標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)展，以包含涵蓋多芯片封裝的熱測試方法。但是，UCC14240-Q1 隔離式直流/ 直流模塊采用 multi-source package (MSP) 封裝，其中包含第一和第二芯片以及 一個(gè)由初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)變壓器繞組組成的集成式平面變壓器。鑒于 MSP 的性質(zhì)，無法使用一組 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)來描述 UCC14240-Q1。由于 MSP 的 T_J 與單芯片甚至多芯片 IC 的含義不同，因此將雙芯片和兩個(gè)變壓器繞組視為四個(gè)獨(dú)立的潛在熱源，并推導(dǎo)出準(zhǔn)確描述上述四個(gè)內(nèi)部元件之間的溫度關(guān)系的熱矩陣。

熱矩陣是一個(gè)寫入 4x4 矩陣的線性方程組，用于推導(dǎo) UCC14240-Q1 數(shù)據(jù)表中的熱參數(shù)，由Equation39 算出。

其中，Equation39 的命名規(guī)則定義為：

• 1、2、3、4 分別表示第一芯片、第二芯片、初級(jí)側(cè)繞組和次級(jí)側(cè)繞組
• T 是芯片或變壓器的溫升
• P 是功率耗散
• R 是熱阻，下標(biāo)如下：
  • R₁₁ 是由第一芯片的功耗導(dǎo)致的第一芯片每單位功率的溫升 (°C/W)
  • R₁₂ 是由第二芯片的功耗導(dǎo)致的第一芯片每單位功率的溫升 (°C/W)
  • R₁₃ 是由變壓器初級(jí)側(cè)繞組的功耗導(dǎo)致的第一芯片每單位功率的溫升 (°C/W)
  • R₁₄ 是由變壓器次級(jí)側(cè)繞組的功耗導(dǎo)致的第一芯片每單位功率的溫升 (°C/W)

在 125°C 靜止空氣環(huán)境中使用 EVM 對(duì)熱矩陣表示的模型進(jìn)行了模擬。已知預(yù)測的溫度和功率耗散值，通過求解熱矩陣中的四個(gè)方程來確定熱阻值。不建議用戶嘗試驗(yàn)證分布式熱矩陣式解決方案，此處演示的目的僅是為了概述此過程，從而為數(shù)據(jù)表中所發(fā)布集總熱參數(shù)提供支持。

UCC14240-Q1 內(nèi)部的最大熱源來自內(nèi)部變壓器繞組。由于 T_J 是主要問題，因此允許變壓器上升到超過 150°C 的溫度。變壓器產(chǎn)生的熱量流經(jīng)由熱矩陣確定并與第一和第二芯片相關(guān)的熱阻抗。監(jiān)控第一和第二芯片上產(chǎn)生的累積溫度，以便在 160°C 左右關(guān)閉 UCC14240-Q1 并保持 T_J < 150°C。

使用熱像儀測量外殼溫度并計(jì)算 IC 功率耗散，我們可以非常有把握地根據(jù)Equation38 估算最大 T_J。