ZHCABN2 February 2022 UCC14240-Q1
一旦確定了偏置架構(gòu),設(shè)計(jì)偏置電源的第一步就是根據(jù) IGBT 或 SiC 功率模塊的柵極電荷 QG 確定所需的功率。表 3-1 重點(diǎn)介紹了 1.2kV IGBT 和 1.2kV SiC 兩個(gè)模塊的一些關(guān)鍵參數(shù)比較。
VCE,VDS (V) | IC,ID (A) | VGE,VGS (V) | VGE/S(th),(V) | QG (μC) | |
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6 組 IGBT | 1200 | 380 | -8/15 | 5.2 | 1.75 |
6 組 SiC | 1200 | 400 | -5/15 | 3.25 | 1.32 |
已知 QG、VGE(ON)、VGE(OFF) 和開關(guān)頻率 FSW,動(dòng)態(tài)開關(guān)所需的功率可根據(jù)Equation1 計(jì)算。
還需要功率來支持總偏置電壓和柵極驅(qū)動(dòng)靜態(tài)電流 IQ 的乘積。給定驅(qū)動(dòng)器的靜態(tài)電流可以從制造商的數(shù)據(jù)表中獲得。一些柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 數(shù)據(jù)表分別指定 IQ_VDD 和 IQ_VEE,而其他數(shù)據(jù)表只指定 IQ_VDD。計(jì)算靜態(tài)功率時(shí),應(yīng)使用較大的 IQ 值,功率可根據(jù)Equation2 計(jì)算得出。
然后,所需的總偏置功率通過以下公式算出:
為便于比較,假設(shè) IGBT 和 SiC 使用的是 UCC21732-Q1 等柵極驅(qū)動(dòng)器。根據(jù) UCC21732-Q1 數(shù)據(jù)表,計(jì)算得出的最大 IQ_VDD 為 5.9mA。如果兩者都在 20kHz 下工作,并在 QG 整個(gè) QG 范圍內(nèi)切換,則表 3-1 中列出的每個(gè)模塊所需的柵極驅(qū)動(dòng)偏置功率可由Equation4 和Equation5 來計(jì)算,結(jié)果如下:
除了從 SiC 模塊獲得的眾所周知的動(dòng)態(tài)開關(guān)和熱優(yōu)勢之外,與類似的額定 IGBT 模塊相比,其較低的柵極電荷和 ΔVGS 還提供了一個(gè)不太受認(rèn)可的次要優(yōu)勢,即所需的偏置功率降低了 31.4%。