ZHCABN2 February 2022 UCC14240-Q1
| 引腳 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號 | ||
| GNDP | 1、2、5、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18 | G | VIN 的初級側(cè)接地連接。在覆銅上放置幾個(gè)過孔以進(jìn)行散熱。請參閱Topic Link Label12。 |
| /PG | 3 | O |
低電平有效電源正常開漏輸出引腳。當(dāng) (UVLO ≤ VIN ≤ OVLO)；(UVP1 ≤ (VDD – VEE) ≤ OVP1)；(UVP2 ≤ (COM – VEE) ≤ OVP2)；TJ_Primary ≤ TSHUT_primary 且 TJ_secondary ≤ TSHUT_secondary 時(shí)，/PG 拉至低電平 |
| ENA | 4 | I | 啟用引腳。強(qiáng)制 ENA 為低電平會禁用器件。上拉至高電平以啟用正常的器件功能。建議最大值為 5.5V。 |
| VIN | 6、7 | P | 初級輸入電壓。將 2.2uF 陶瓷電容器從 VIN 連接到 GNDP。在 IC 引腳附近連接一個(gè) 0.1μF 高頻旁路陶瓷電容器。 |
| VEE | 19、20、21、22、23、24、25、26、27、30、31、36 | G |
用于 VDD 和 COM 的次級側(cè)參考連接。VEE 引腳用于高電流返回路徑。 |
| VDD | 28、29 | P | 來自變壓器的次級側(cè)隔離式輸出電壓。在 VDD 和 VEE 之間連接一個(gè) 2.2μF 和一個(gè)并聯(lián)的 0.1μF 陶瓷電容。0.1μF 陶瓷電容是高頻旁路，必須靠近 IC 引腳。 |
| RLIM | 32 | P | 第二個(gè)次級側(cè)隔離式輸出電壓電阻，用于限制從 VDD 到 COM 節(jié)點(diǎn)的拉電流和從 COM 到 VEE 的灌電流。在 RLIM 和 COM 之間連接一個(gè)電阻以調(diào)節(jié) (COM – VEE) 電壓。有關(guān)更多細(xì)節(jié)信息，請參見Topic Link Label8.1。 |
| FBVEE | 33 | I | 反饋 (COM – VEE) 輸出電壓檢測引腳用于調(diào)整輸出 (COM – VEE) 電壓。在 COM 和 VEE 之間連接一個(gè)電阻分壓器，使中點(diǎn)連接到 FBVEE，調(diào)節(jié)時(shí)的等效 FBVEE 電壓為 2.5V。在低側(cè)反饋電阻并聯(lián)一個(gè) 330pF 陶瓷電容，用于高頻去耦。用于高頻旁路的 330pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或底層（兩層通過過孔連接）的 FBVEE 和 VEEA IC 引腳。 |
| FBVDD | 34 | I | 反饋 (VDD – VEE) 輸出電壓檢測引腳用于調(diào)整輸出 (VDD – VEE) 電壓。在 VDD 和 VEE 之間連接一個(gè)電阻分壓器，使中點(diǎn)連接到 FBVDD，調(diào)節(jié)時(shí)的等效 FBVDD 電壓為 2.5V。在低側(cè)反饋電阻并聯(lián)一個(gè) 330pF 陶瓷電容，用于高頻去耦。用于高頻旁路的 330pF 陶瓷電容器必須緊挨著頂層或底層（兩層通過過孔連接）的 FBVDD 和 VEEA IC 引腳。 |
| VEEA | 35 | G | 用于噪聲敏感模擬反饋輸入、FBVDD 和 FBVEE 的次級側(cè)模擬檢測參考連接。將低側(cè)反饋電阻和高頻去耦濾波電容連接到靠近 VEEA 引腳和各自的反饋引腳 FBVDD 或 FBVEE。連接到次級側(cè)柵極驅(qū)動最低電壓基準(zhǔn) VEE。使用單點(diǎn)連接并將高頻去耦陶瓷電容器靠近 VEEA 引腳放置。請參閱Topic Link Label12。 |