ZHCABV5 October 2021 DRV5032 , TMAG5170 , TMAG5231 , TMAG5273
7.4 TMAG5170 篡改敏感性測(cè)試結(jié)果
篡改以正交和平行兩種方式進(jìn)行。圖 7-7 顯示了當(dāng)篡改磁體進(jìn)入器件檢測(cè)場(chǎng)時(shí) TMAG5170 GUI 的輸出。在篡改磁體靠近之前，X 軸上的場(chǎng)強(qiáng)約為 1.75mT。第二個(gè)磁體的引入增加了 X 軸和 Y 軸上的場(chǎng)強(qiáng)，表明發(fā)生了篡改嘗試。
圖 7-7 TMAG5170 正交篡改測(cè)試設(shè)置
圖 7-8 TMAG5170 正交軸磁性檢測(cè)：結(jié)果再次完成篡改測(cè)試，這一次平行于真正的磁體。圖 7-9 顯示了當(dāng)篡改磁體進(jìn)入檢測(cè)范圍時(shí) TMAG5170 產(chǎn)生的響應(yīng)。在篡改磁體開(kāi)始靠近之前，X 軸場(chǎng)強(qiáng)約為 1.1mT。一旦篡改磁體靠近，就可以在 Z 軸上看到篡改嘗試的證據(jù)，由于存在額外的磁場(chǎng)，X 軸上的場(chǎng)強(qiáng)再次增加。
圖 7-9 TMAG5170 平行篡改測(cè)試：設(shè)置
圖 7-10 TMAG5170 平行篡改測(cè)試：結(jié)果