#GUID-BD428CC3-4DF1-4FE2-BFAB-DD8300880918 所示為 3L T 型轉(zhuǎn)換器的基本拓?fù)?。傳統(tǒng)的兩級電壓源轉(zhuǎn)換器 (VSC) 拓?fù)渫ㄟ^有源雙向開關(guān)擴(kuò)展到直流鏈路中點(diǎn)。對于 800V 直流鏈路電壓，每個相位上的高側(cè)和低側(cè)通常使用 1200V IGBT/二極管來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)楸仨氉钄嗳妷?。不同的是，直流鏈路中點(diǎn)的雙向開關(guān)只能阻斷一半的電壓。它可以通過具有較低額定電壓的器件來實(shí)現(xiàn)，例如兩個包含反向并聯(lián)二極管的 600V IGBT。由于阻斷電壓降低，中間開關(guān)的開關(guān)損耗超低，而且傳導(dǎo)損耗可接受。與之前討論的三級 NPC 拓?fù)洳煌?，沒有器件串聯(lián)連接必須阻斷整個直流鏈路電壓。對于 NPC 拓?fù)?，通常省略從?(P) 電平直接轉(zhuǎn)換到負(fù) (N) 直流鏈路電壓電平，反之亦然，因?yàn)楫?dāng)兩個串聯(lián)的 FET 同時關(guān)斷時，瞬態(tài)情況下可能會阻止不均勻的電壓份額。這種不良影響在 T 型拓?fù)渲胁粫l(fā)生。沒有必要實(shí)現(xiàn)可防止此類轉(zhuǎn)換的低級例程，也沒有必要確保串聯(lián) IGBT 之間的瞬態(tài)電壓平衡。使用單個 1200V 器件阻斷完整直流鏈路電壓的另一個額外好處是減少了導(dǎo)通損耗。每當(dāng)輸出連接到 (P) 或 (N) 時，僅出現(xiàn)一個器件的正向壓降，這與兩個器件始終串聯(lián)的 NPC 拓?fù)湎喾础?dǎo)通損耗顯著降低，因此即使在低開關(guān)頻率下，T 型也是一個有趣的選擇。

總體而言，與 NPC 相比，導(dǎo)通損耗要低得多，但由于器件阻止了完整的直流鏈路電壓，因此開關(guān)損耗很高。與 NPC 拓?fù)湎啾龋?shù)量有限，并且與 Vienna 整流器和兩級 PFC 相比，效率、功率密度和雙向運(yùn)行能力更好，因此 T 型整流器非常適合頻率高達(dá) 50kHz（超過此頻率時，NPC 性能更好）的應(yīng)用。此拓?fù)涞娜秉c(diǎn)之一是高電壓阻斷 FET 上的高峰值電壓應(yīng)力較高。最后，與其他拓?fù)漕愃疲簿哂辛己玫?THD 性能，因此在輸入端不需要笨重的電感器。TI 的三級三相 SiC 交流/直流轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)包含有關(guān)實(shí)現(xiàn)該轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)信息。

圖 3-8 三相三級 T 型 PFC.