1 引言

圖 1-1 中的電路顯示了同步降壓轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)元件。此模型中包含導(dǎo)致開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴的寄生電感和電容。

圖 1-1 功率級(jí)元件

當(dāng) LS 柵極信號(hào)變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，低邊 MOSFET 關(guān)斷，電感器電流流經(jīng)低邊 MOSFET 的體二極管。在短暫的死區(qū)時(shí)間后，高邊 MOSFET 導(dǎo)通，電流將強(qiáng)制低邊 MOSFET 的體二極管關(guān)斷。當(dāng)體二極管反向恢復(fù)時(shí)，SW 上的電壓開(kāi)始上升，振鈴波形由寄生電感和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容的相互作用而產(chǎn)生。這種相互作用主要由低邊 MOSFET 的 Coss_² 組成，如圖 1-2 所示。

圖 1-2 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴

這種振鈴不僅會(huì)增加 MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗和峰值漏源電壓尖峰，而且還會(huì)影響 50MHz 至 300MHz 范圍內(nèi)的寬帶 EMI。必須在數(shù)據(jù)表中的器件額定電壓限制范圍內(nèi)監(jiān)控振鈴，以保持可靠運(yùn)行。