摘要

隨著電源效率變得越來越重要，需要更快的開關(guān)速度來降低效率損失。但是，隨著開關(guān)速度的提高，必須考慮一些權(quán)衡因素，例如顯著的過沖、開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的振鈴電壓和電磁干擾 (EMI)。振鈴的幅度是高邊 NFET 的開關(guān)速度以及布局和器件封裝中的寄生電感的函數(shù)。有多種方法可以減少振鈴，使 MOSFET 開關(guān)保持在安全工作區(qū)域內(nèi)，并減少因此造成的 EMI 噪聲，例如使用自舉電阻器、高邊柵極電阻器或 RC 緩沖器。

本應(yīng)用手冊重點(diǎn)介紹了使用自舉電阻器控制開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴和優(yōu)化 EMI 時的設(shè)計注意事項。