ZHCACO1 may 2023 LM53602 , LM53602-Q1 , LM53603-Q1 , LM63625-Q1 , LM63635-Q1 , LMR14020-Q1 , LMR14030-Q1
RBOOT 的值取決于高邊 MOSFET 的大小。大多數(shù)應(yīng)用中使用大約 5Ω 至 10Ω 的值。如果自舉電阻值過(guò)大,則自舉電容器無(wú)法在每個(gè)周期中充滿電。當(dāng)自舉電阻值過(guò)大時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)器沒(méi)有足夠的電壓來(lái)保持高邊 FET 導(dǎo)通,并可能在周期中間關(guān)閉。此柵極驅(qū)動(dòng)器行為限制了可通過(guò)自舉電阻方法減少的振鈴量。為了更靈活地優(yōu)化 EMI,LM61440/60 和 LM61480/95 系列采用專用的 RBOOT 引腳設(shè)計(jì),允許通過(guò)電阻器在導(dǎo)通期間選擇高邊 FET 驅(qū)動(dòng)器的強(qiáng)度。圖 6-1 顯示了集成的 RBOOT 引腳。通過(guò) RBOOT 引腳消耗的電流(圖 6-1 中的虛線環(huán)路)被放大并通過(guò) CBOOT 消耗(圖 6-1 中的虛線)。此功能允許使用各種 RBOOT 值來(lái)優(yōu)化 EMI。