對(duì)于機(jī)械沖擊測(cè)試，使用了 MIL-STD-883F 方法 2002、條件 A 模式（500g 加速度）和條件 B 模式（1500g 加速度）。

對(duì)于此正弦振動(dòng)測(cè)試，選擇了以下型號(hào)。

• LVCMOS 輸出：DLE-4 (3.2mm x 2.5mm)，DLF-4 (2.5mm x 2.0mm)
• 差分輸出：DLE-6 (3.2mm x 2.5mm)，DLF-6 (2.5mm x 2.0mm)

下面是在振動(dòng)裝置上設(shè)置受測(cè)器件 (DUT) 板以及執(zhí)行機(jī)械沖擊測(cè)試所涉及的步驟。

• 器件焊接在 LMK6x 評(píng)估模塊 (EVM) 上，并可固定到與機(jī)械沖擊測(cè)試機(jī)相連的接合板。
• Agilent E3631A 工作臺(tái)電源設(shè)置為為 EVM 模塊提供 3.3V 電源。
• 對(duì)于差分輸出（DLE-6 和 DLF-6 封裝器件），EVM 上提供了 LVPECL 輸出終端。TC1-1-13MA+ 平衡-非平衡變壓器表面貼裝射頻變壓器用于將差分輸出轉(zhuǎn)換為單端輸出，并將輸出連接到 Keysight E5052B 相位噪聲分析儀。
• 沖擊參數(shù)設(shè)置如下
  • 對(duì)于 1500g，將板垂直提升 10.4 英寸。
  • 對(duì)于 500g，將板垂直提升 3.8 英寸。
  • 空氣吸力將裝置向下拉以達(dá)到適當(dāng)?shù)?G 力。

• 對(duì)接受測(cè)試的每個(gè)樣本至少執(zhí)行 3 個(gè)周期的沖擊。
• 瞬態(tài)數(shù)據(jù)是在沖擊測(cè)試期間獲取的。
• 相位噪聲數(shù)據(jù)作為沖擊測(cè)試后的屏幕截圖進(jìn)行收集

圖 3-19 中顯示了沖擊測(cè)試裝置設(shè)置，其中顯示了安裝的 LMK6x EVM。