正弦測試在 50Hz、100Hz、200Hz、500Hz、1000Hz 和 2000Hz 的固定正弦振動頻率下進行，所有三個軸的加速度均為 10g。捕獲了這些測試的相位噪聲圖。以下各圖對應 DLF-4 封裝的 Z 軸。在每張圖中都可以觀察到在振動頻率下出現(xiàn)的雜散。根據測試結果和捕獲的數(shù)據，計算了 BAW 振蕩器以 ppb/g 為單位的振動靈敏度。

以下各圖中顯示了相位噪聲圖相對于振動頻率的合并疊加波形。這些圖顯示了 DLE-4、DLF-4、DLE-6 和 DLF-6 封裝的波形。

針對 LVCMOS 和 LVPECL 計算和繪制了 ppb/g。以下每幅圖顯示了器件在 10g 加速度時的 Z 軸數(shù)據。

針對經過測試的所有振動頻率繪制了采用 DLE 和 DLF 封裝的 LVCMOS 和 LVPECL 器件上為 LMK6x 計算出的 ppb/g 值。這些計算結果基于不同類型 LMK6x 封裝和輸出類型的各種振動頻率在相位噪聲測量中的振動頻率雜散。節(jié) 3.1.1中提供了公式。圖 3-12 顯示了振動頻率與 ppb/g 值的關系。根據這些圖，LMK6x LVCMOS 輸出類型的振動靈敏度小于 1ppb/g，而 LMK6x 差分輸出的振動靈敏度小于 2ppb/g。在圖 3-12 中，上面的圖是 X 軸，中間的圖是 Y 軸，下面的圖是 Z 軸 ppb/g 與振動頻率的關系。圖 3-12 中的藍線代表 DLE 封裝，綠線代表 DLF 封裝。晶體振蕩器的振動靈敏度在 10ppb/g 范圍，這表明與晶體振蕩器相比，BAW 振蕩器的振動靈敏度更低。