ZHCY127C january 2023 – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050
限制功率密度的因素：熱性能
影響總體功率密度的一個(gè)關(guān)鍵因素是系統(tǒng)的熱性能。封裝的散熱效果越好，通?？梢猿惺艿墓β蕮p耗就越多，而不會出現(xiàn)不合理的溫升情況。這些因素通常在數(shù)據(jù)表參數(shù)中捕獲，例如結(jié)至環(huán)境熱阻 (R?JA)，以及對應(yīng)用條件的仔細(xì)估計(jì)。有關(guān) MOSFET 數(shù)據(jù)表中常見熱阻值的更多詳細(xì)信息，請觀看視頻：了解 MOSFET 數(shù)據(jù)表：熱阻抗。
對封裝和印刷電路板 (PCB) 進(jìn)行熱優(yōu)化的總體目標(biāo)是降低電源轉(zhuǎn)換器損耗的同時(shí)減少溫升。隨著電源設(shè)計(jì)朝著小型化和降低成本的趨勢發(fā)展，電源開關(guān)和柵極驅(qū)動器解決方案的尺寸縮小了。這使得系統(tǒng)級熱設(shè)計(jì)變得越來越困難，因?yàn)楦〉墓杵头庋b尺寸通常會導(dǎo)致更差的熱性能，如圖 6 所示。隨著芯片面積的縮小，相關(guān)的結(jié)至環(huán)境熱阻 (R?JA) 變得更糟。
圖 6 封裝 R?JA 與裸片面積之間的關(guān)系。此圖清楚地表明，隨著封裝尺寸、裸片尺寸和總體功率密度的改進(jìn)，預(yù)期的熱性能會迅速下降，除非您優(yōu)先考慮創(chuàng)新封裝熱性能（將熱量散發(fā)出去）并降低功率損耗（產(chǎn)生更少熱量）。