關(guān)鍵限制因素 3：導(dǎo)通和關(guān)斷損耗

寄生環(huán)路電感會導(dǎo)致許多與開關(guān)相關(guān)的損耗，這會大大降低效率。讓我們再次以通過高側(cè) MOSFET 傳導(dǎo)電感電流的降壓轉(zhuǎn)換器為例。關(guān)閉高側(cè)開關(guān)會中斷通過寄生電感的電流。瞬態(tài)電流 (di/dt) 以及寄生環(huán)路電感會引起電壓尖峰。di/dt 值越高，開關(guān)損耗越低，從而導(dǎo)致器件電壓應(yīng)力越高。在某些關(guān)斷速度下，降壓轉(zhuǎn)換器高側(cè)開關(guān)會發(fā)生擊穿。因此，您必須審慎地控制開關(guān)速度，最大限度地提高效率，同時將直流/直流轉(zhuǎn)換器放置在安全工作區(qū)域內(nèi)。有關(guān)詳細信息，請參閱應(yīng)用手冊了解高輸出電流和高溫下工作的 SOA 曲線。

此外，降低高側(cè) MOSFET 的漏極電荷也會導(dǎo)致其上出現(xiàn)額外的電壓尖峰，這是因為作為電感/電容網(wǎng)絡(luò)的一部分，用于吸收寄生環(huán)路電感中所存儲能量的電容較小。這帶來了另一個挑戰(zhàn)，因此最好是將漏極電荷保持在盡可能低的水平，以減少前面提到的與電荷相關(guān)的損耗。要減輕與這些寄生效應(yīng)相關(guān)的總損耗，通常需要減少環(huán)路電感本身，同時采用其他柵極驅(qū)動器技術(shù)。