ZHCY127C january 2023 – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050
在降壓轉(zhuǎn)換器中,當(dāng)高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通,同時低側(cè) MOSFET 的體二極管導(dǎo)通電流時,會發(fā)生反向恢復(fù),從而迫使低側(cè)二極管電流迅速過渡至高側(cè) MOSFET。在該過渡過程中,需要電流來消除會造成直接開關(guān)損耗的低側(cè)二極管少數(shù)電荷,請參閱方程式 4。
減少二極管反向恢復(fù)影響的理想方法之一,是減少存儲電荷 (QRR) 通過優(yōu)化 MOSFET 設(shè)計(jì),或減少或消除上升沿死區(qū)時間,從而完全消除損耗的影響。