鉛涂層成分和鍍錫工藝

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鉛涂層成分

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焊球成分

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鍍錫工藝

TI 的鍍錫工藝符合并超過 JESD201 中規(guī)定的鑒定和監(jiān)控標(biāo)準(zhǔn)，?1 類和 2 類等級檢測符合 JESD 22A121 規(guī)范。此外，TI 已對鍍錫產(chǎn)品采取以下措施來滿足 JESD201 2 類要求：

• 引線框基礎(chǔ)材料（合金）控制
• 鍍錫控制（化學(xué)過程、工藝和厚度）
• 鍍后退火（電鍍后 24 小時內(nèi)最低 150C）

TI 使用 Cu194、Cu7025、TAMAC2 和 TAMAC4 等引線框材料。

錫須

• 錫須由電鍍中的應(yīng)力而產(chǎn)生，據(jù)了解會出現(xiàn)在鍍錫或鍍錫合金器件上。
• 電鍍后，任何錫須可能需要經(jīng)過幾千小時的潛伏期才開始生長。潛伏期的長短取決于鉛涂層厚度、鉛涂層晶粒結(jié)構(gòu)和基底金屬成分。
• 錫須在整個行業(yè)中都是一個可靠性問題，因為它們可能會縮小引線之間的間隙，導(dǎo)致電氣短路。
• 作為錫須緩解措施，TI 將所有基于引線框并帶有成型引線的封裝于電鍍 24 小時內(nèi)在 150°C 下退火 1 小時。這是為業(yè)界所接受的控制錫須生長的方法。
• 對于電鍍器件，最小的“已鍍層”厚度為 7um，在鉛修整和成形后，厚度可減少 15%。該厚度符合 JEDEC/IPC JP002 中發(fā)布的公認(rèn)“錫須緩解”方法。
• 熱沾錫器件浸在 SnAgCu 合金中，以在鉛修整和成形后實現(xiàn)最小 5μm 的厚度。依照 JEDEC/IPC JP002，該工藝稱之為"去錫須"。