ZHCSTB8 December 2024 TPS546B26
PRODUCTION DATA
| CMD 地址 | 45h |
| 寫(xiě)入事務(wù)： | 寫(xiě)入字節(jié) |
| 讀取事務(wù)： | 讀取字節(jié) |
| 格式： | 無(wú)符號(hào)二進(jìn)制（1 字節(jié)） |
| NVM 備份： | EEPROM |
| 更新： | 動(dòng)態(tài) |
VOUT_UV_FAULT_RESPONSE 命令指示器件執(zhí)行何種操作來(lái)響應(yīng)輸出欠壓故障。故障限制編程到 VOUT_UV_FAULT_LIMIT 中。此外，該器件還：
返回到支持的 PMBus 命令。
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| RW | R | R/W | R/W | R/W | R | R/W | R/W |
| 0 | IGNRZ_UV | RS_UV | TD_UV | ||||
| 說(shuō)明：R/W = 讀取/寫(xiě)入；R = 只讀 |
| 位 | 字段 | 訪(fǎng)問(wèn) | 復(fù)位 | 說(shuō)明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | 0 | R | 0b | 未使用，始終設(shè)置為 0。向該位寫(xiě)入 1 將導(dǎo)致 NACk 和 ivd。 |
| 6 | IGNRZ_UV | RW | 1b | 輸出欠壓響應(yīng)設(shè)置 0b：器件不間斷地繼續(xù)運(yùn)行（即忽略故障）（請(qǐng)注意，位[6] IGNRZ_UV 低電平有效，當(dāng) IGNRZ_OV=0 時(shí)，故障被忽略）。 1b：器件在 TD_UV 指定的延遲時(shí)間內(nèi)繼續(xù)運(yùn)行。如果在延遲時(shí)間結(jié)束時(shí)故障條件仍然存在，則單元會(huì)按照重試設(shè)置中的編程方式進(jìn)行響應(yīng)。 請(qǐng)注意，如果在 IGNRZ_UV 設(shè)置為忽略故障 (0b) 時(shí)發(fā)生 UV 故障，未通過(guò) CLEAR_FAULTS 清除故障狀態(tài)，并且 IGNRZ_UV 更改為 1b，則該器件將響應(yīng) RS_UV 和 TD_UV 中編程的先前故障。 |
| 5:3 | RS_UV | RW | NVM | 輸出電壓欠壓重試設(shè)置。 000b：故障后鎖存。器件保持禁用狀態(tài)，直到故障清除為止。VCC 下電上電或 EN 切換可以重新啟動(dòng)電源轉(zhuǎn)換。 111b：在 52ms 延遲后自動(dòng)重啟，不限制重啟嘗試次數(shù)，直到命令其關(guān)閉或移除輔助電源，或其他故障條件導(dǎo)致單元關(guān)閉。 將不接受 000b 或 111b 以外的任何值，此類(lèi)嘗試應(yīng)視為無(wú)效數(shù)據(jù)或不受支持的數(shù)據(jù) (ivd)，器件將按照 ivd 中所述進(jìn)行響應(yīng)。由于所有 3 位必須相同，EEPROM 中只存儲(chǔ)一位（位 5）。 |
| 2:0 | TD_UV | R | 000b | 輸出欠壓重試響應(yīng)延時(shí)時(shí)間設(shè)置。斷續(xù)時(shí)間始終為 52ms，但可以通過(guò)在位 [1:0] 中進(jìn)行以下設(shè)置來(lái)延遲響應(yīng)時(shí)間。如果在延遲計(jì)數(shù)器到期之前故障條件消失，則延遲計(jì)數(shù)器復(fù)位為 0 并且不會(huì)禁用輸出。位 2 是只讀的，始終為 0。向位 2 寫(xiě)入 1 將被忽略。 000b：2us 001b：16μs 010b：64us 011b：256us |