ZHCSTB8 December 2024 TPS546B26
PRODUCTION DATA
TPS546B26 器件使用過零 (ZC) 電路在跳躍模式期間執(zhí)行零電感器電流檢測。在低側(cè) MOSFET 關(guān)閉之前，將 ZC 閾值設(shè)置為較小的負(fù)值，從而進(jìn)入不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 運(yùn)行。進(jìn)入 DCM 后，ZC 閾值遲滯會在進(jìn)入 DCM 后將閾值增大到一個較小的正值。因此，該器件可提供更高的輕負(fù)載效率。
當(dāng)負(fù)載電流增加到足以使器件退出 DCM 時，ZC 電路必須檢測到 16 個連續(xù)周期內(nèi)負(fù)電感器電流低于 ZC 閾值，然后再返回 DCM。只需一個沒有 ZC 檢測的周期，即可退出 DCM。
在軟啟動期間(61h) TON_RISE，ZC 電路始終處于禁用狀態(tài)，并且
TPS546B26 以 FCCM 運(yùn)行模式啟動。如果在(61h) TON_RISE完成后檢測到 16 個連續(xù)周期的負(fù)電感器電流，并且未通過引腳編程或(D1h) SYS_CFG_USER1編程選擇 FCCM 模式，則 TPS546B26 能夠進(jìn)入 DCM 運(yùn)行模式