ZHCSTB8 December 2024 TPS546B26
PRODUCTION DATA
必須選擇輸入電容器以減少輸入電壓紋波和高頻旁路,從而降低器件內(nèi)部功率級(jí) MOSFET 的開(kāi)關(guān)應(yīng)力。本例中,必須將 0.1μF、25V 的 0402 放置在盡可能靠近器件 PVIN 引腳的位置,與 PCB 上的 IC 位于同一層。此外,還使用 8 個(gè) 22μF 陶瓷電容器,并在輸入端使用 100μF 大容量電容器。