ZHCSTB8 December 2024 TPS546B26
PRODUCTION DATA
在 VOSNS 和 GOSNS 之間使用一個 100pF 陶瓷電容器,并分別將 RSNSP 和 RSNSN 電阻器連接到 VOUT 和 PGND。去耦電容器可更大限度地減少開關(guān)噪聲的影響,并在負(fù)載處實(shí)現(xiàn)更好的 VOUT 和遠(yuǎn)程 PGND 檢測。