ZHCSTB8 December 2024 TPS546B26
PRODUCTION DATA
引腳 | 類型(1) | 說明 | |
---|---|---|---|
名稱 | 編號(hào) | ||
AGND | 32 | G | 模擬接地引腳,內(nèi)部控制電路的基準(zhǔn)點(diǎn)。 |
BOOT | 26 | P | 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器(升壓端子)的電源軌。在該引腳與 PHASE 引腳之間連接自舉電容器。建議使用高溫 (X7R) 0.1μF 或更大容值的陶瓷電容器。 |
CNTL | 27 | I | CTRL 引腳,這是一個(gè)高電平有效輸入引腳,當(dāng)該引腳置為有效(高電平)時(shí),會(huì)使轉(zhuǎn)換器開始輸出電壓軌的軟啟動(dòng)序列。 |
GOSNS | 31 | I | 差分遙感電路的負(fù)輸入端,連接到負(fù)載側(cè)的接地檢測(cè)點(diǎn)。 |
ISHARE | 1 | I/O | 請(qǐng)勿進(jìn)行連接(懸空)。 |
MSEL1 | 36 | I | 使用連接到 AGND 的電阻器來選擇器件的選項(xiàng)。請(qǐng)參閱引腳配置。 |
MSEL2 | 6 | I | 使用連接到 AGND 的電阻器為該器件選擇配置選項(xiàng)。請(qǐng)參閱引腳配置。 |
NC | 37 | 未連接。該引腳在內(nèi)部懸空。 | |
PG | 2 | O | 開漏電源正常指示器。 |
PGND | 7、8、9、10、19 | G | 內(nèi)部功率級(jí)的電源接地端。 |
PHASE | 25 | I/O | 高側(cè) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的回路。在內(nèi)部短接至 SW。在 BOOT 引腳與 PHASE 引腳之間連接自舉電容器。 |
PMB_ADDR/VORST# | 29 | I | PMBus 地址、初級(jí)或次級(jí)、內(nèi)部或外部反饋、過流限制、軟啟動(dòng)和故障響應(yīng)可以通過在該引腳和 AGND 之間連接一個(gè)外部電阻器來設(shè)置。請(qǐng)參閱引腳配置。 |
PMB_CLK | 34 | I | PMBus 時(shí)鐘引腳,開漏。 |
PMB_DATA | 33 | I/O | PMBus 雙向數(shù)據(jù)引腳,開漏。 |
PVIN | 20、21、22、23、24 | P | 功率級(jí)和內(nèi)部 VCC LDO 輸入的電源輸入。 |
SMB_ALERT_# | 35 | O | SMBALERT#,如 SMBus 規(guī)范中所述。該引腳為開漏。SMBALERT# 指示器與警報(bào)響應(yīng)地址 (ARA) 結(jié)合使用。在標(biāo)稱運(yùn)行期間,SMBALERT# 保持高電平。 |
SW | 11–18 | O | 電源轉(zhuǎn)換器的輸出開關(guān)端子。將這些引腳連接到輸出電感器。 |
觸發(fā) | 3 | I/O | 請(qǐng)勿進(jìn)行連接(懸空)。 |
VCC | 4 | P | 來自 PVIN 的內(nèi)部4.5V LDO 輸出和模擬控制電路的電源。使用額定電壓為 10V 的 X5R 或更好的 2.2μF 電容器旁路至 AGND,并使用 1Ω 電阻器連接到 VDRV。有關(guān)更多詳細(xì)信息,請(qǐng)查看布局指南。 |
VDRV | 5 | — | 柵極驅(qū)動(dòng)器的 5V 電源。使用額定電壓為 10V 的 X5R 或更好的 2.2μF 旁路至 PGND,并使用 1Ω 電阻器連接至 VCC??梢詫⑼獠?5V 輔助電源連接到該引腳,以降低內(nèi)部 LDO 上的功率損耗或允許在較低的 PVIN 電壓下運(yùn)行。有關(guān)更多詳細(xì)信息,請(qǐng)查看布局指南。 |
VOSNS | 30 | I | 該引腳為 VOSNS,是差分遙感電路的負(fù)輸入端,連接到負(fù)載側(cè)的 Vout 檢測(cè)點(diǎn)。 |
VSEL/FB | 28 | I | 當(dāng)將器件配置為使用內(nèi)部 FB 分壓器時(shí),此引腳為 VSEL。使用連接到 AGND 的電阻器來選擇輸出電壓。請(qǐng)參閱對(duì) MSEL1 進(jìn)行編程 和對(duì) VSEL\FB 進(jìn)行編程。當(dāng)將器件配置為外部電阻分壓器時(shí),此引腳是器件的反饋引腳。將此引腳連接到電阻分壓器的中點(diǎn)以設(shè)置輸出電壓。 |