ZHCSUK3P December 2005 – February 2025 TPS74201
PRODUCTION DATA
| 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VIN | 輸入電壓范圍 | VOUT + VDO | 5.5 | V | ||||
| VBIAS | BIAS 引腳電壓范圍 | 2.375 | 5.25 | V | ||||
| VREF | 內(nèi)部基準(zhǔn) | TJ = 25℃ | 0.796 | 0.8 | 0.804 | V | ||
| VOUT | 輸出電壓 | VIN = 5V，IOUT = 1.5A，VBIAS = 5V | VREF | 3.6 | V | |||
| VOUT | 精度 (1) | 2.375V ≤ VBIAS ≤ 5.25V，VOUT + 1.62V ≤ VBIAS 50mA ≤ IOUT ≤ 1.5A | -1 | ±0.2 | 1 | % | ||
| ΔVOUT(ΔVIN) | 線性調(diào)整率 | VOUT (NOM) + 0.3V ≤ VIN ≤ 5.5V，VQFN | 0.0005 | 0.05 | %/V | |||
| VOUT (NOM) + 0.3V ≤ VIN ≤ 5.5V，DDPAK/TO-263 | 0.0005 | 0.06 | ||||||
| ΔVOUT(ΔIOUT) | 負(fù)載調(diào)整率 | 0mA ≤ IOUT ≤ 50mA（舊芯片） | 0.013 | %/mA | ||||
| 50mA ≤ IOUT ≤ 1.5A（舊芯片） | 0.04 | %/A | ||||||
| 50mA ≤ IOUT ≤ 1.5A（新芯片） | 0.09 | |||||||
| VDO | VIN 壓降電壓(2) | IOUT = 1.5A，VBIAS – VOUT (NOM) ≥ 1.62V，VQFN | 55 | 100 | mV | |||
| IOUT = 1.5A，VBIAS – VOUT (NOM) ≥ 1.62V，DDPAK/TO-263（僅舊芯片） | 60 | 120 | ||||||
| VBIAS 壓降電壓(2) | IOUT = 1.5A，VIN = VBIAS（舊芯片） | 1.4 | V | |||||
| IOUT = 1.5A，VIN = VBIAS（新芯片） | 1.43 | |||||||
| ICL | 電流限制 | VOUT = 80% × VOUT(nom)（舊芯片） | 1.8 | 4 | A | |||
| VOUT = 80% × VOUT(nom),（新芯片） | 2 | 5.5 | ||||||
| IBIAS | BIAS 引腳電流 | IOUT = 0mA 至 1.5A（舊芯片） | 2 | 4 | mA | |||
| IOUT = 0mA 至 1.5A（新芯片） | 1 | 2 | ||||||
| ISHDN | 關(guān)斷電源電流 (IGND) | VEN ≤ 0.4V（舊芯片） | 1 | 100 | μA | |||
| VEN ≤ 0.4V（新芯片） | 0.85 | 2.75 | ||||||
| IFB | 反饋引腳電流(3) | IOUT = 50mA 至 1.5A（舊芯片） | -250 | 68 | 250 | nA | ||
| IOUT = 50mA 至 1.5A（新芯片） | -30 | 0.15 | 30 | nA | ||||
| PSRR | 電源抑制（VIN 至 VOUT） | 1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（舊芯片） | 73 | dB | ||||
| 1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（新芯片） | 60 | |||||||
| 300kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（舊芯片） | 42 | |||||||
| 300kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（新芯片） | 30 | |||||||
| 電源抑制（VBIAS 至 VOUT） | 1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（舊芯片） | 62 | ||||||
| 1kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V（新芯片） | 59 | |||||||
| 300kHz，IOUT = 1.5A，VIN = 1.8V，VOUT = 1.5V | 50 | |||||||
| Vn | 輸出噪聲電壓 | BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 1.5A，CSS = 1nF（舊芯片） | 16 | μVrms x Vout | ||||
| BW = 100Hz 至 100kHz，IOUT = 3A，CSS = 1nF（新芯片） | 20 | |||||||
| VTRAN | 負(fù)載瞬態(tài)期間的 %VOUT 壓降 | 1A/μs 時(shí)的 IOUT = 50mA 至 1.5A，COUT=無(wú)（舊芯片） | 3.5 | %VOUT | ||||
| VTRAN | 負(fù)載瞬態(tài)期間的 %VOUT 壓降 | 1A/μs 時(shí)的 IOUT = 50mA 至 1.5A，COUT=2.2μF（新芯片） | 1.7 | %VOUT | ||||
| tSTR | 最短啟動(dòng)時(shí)間 | IOUT = 1.5A 時(shí)的 RLOAD，CSS = 開(kāi)路（舊芯片） | 100 | μs | ||||
| IOUT = 1.0A 時(shí)的 RLOAD，CSS = 開(kāi)路（新芯片） | 250 | |||||||
| ISS | 軟啟動(dòng)充電電流 | VSS = 0.4V，IOUT = 0mA（舊芯片） | 0.500 | 0.730 | 1 | μA | ||
| VSS = 0.4V，IOUT = 0mA（新芯片） | 0.300 | 0.530 | 0.800 | |||||
| VEN(hi) | 使能輸入高電平 | 1.1 | 5.5 | V | ||||
| VEN(lo) | 使能輸入低電平 | 0 | 0.4 | V | ||||
| VEN(hys) | 使能引腳遲滯 | （舊芯片） | 50 | mV | ||||
| （新芯片） | 55 | |||||||
| VEN(dg) | 使能引腳抗尖峰脈沖時(shí)間 | 20 | μs | |||||
| IEN | 使能引腳電流 | VEN = 5V（舊芯片） | 0.1 | 1 | μA | |||
| VEN = 5V（新芯片） | 0.1 | 0.25 | ||||||
| VIT | PG 跳變閾值 | VOUT 降低（舊芯片） | 86.5 | 90 | 93.5 | %VOUT | ||
| VOUT 降低（新芯片） | 85 | 90 | 94 | |||||
| VHYS | PG 跳變遲滯 | （舊芯片） | 3 | %VOUT | ||||
| （新芯片） | 2.5 | |||||||
| VPG(lo) | PG 輸出低電壓 | IPG = 1mA（灌電流），VOUT < VIT（舊芯片） | 0.3 | V | ||||
| IPG = 1mA（灌電流），VOUT < VIT（新芯片） | 0.12 | |||||||
| IPG(lkg) | PG 漏電流 | VPG = 5.25V，VOUT > VIT（舊芯片） | 0.03 | 1 | μA | |||
| VPG = 5.25V，VOUT > VIT（新芯片） | 0.001 | 0.05 | ||||||
| TJ | 工作結(jié)溫 | -40 | 125 | ℃ | ||||
| TSD | 熱關(guān)斷溫度 | 關(guān)斷，溫度升高（舊芯片） | 155 | ℃ | ||||
| 關(guān)斷，溫度升高（新芯片） | 165 | |||||||
| 復(fù)位，溫度降低 | 140 | |||||||