圖 3-1 描繪了從器件結(jié)到環(huán)境的兩條平行熱流路徑，并給出了相應(yīng)的一維熱阻 (R_θ) 電路模型。表 3-1圖 3-1 對 中所示和本報告討論的各種 R_θ 參數(shù)進(jìn)行了說明。底面冷卻的 QFN 12x12 封裝設(shè)計為主要通過熱界面材料 (TIM) 以及與環(huán)境相連的散熱器從基體 PCB 中散熱。在這種典型的底面冷卻配置中，從封裝頂部散發(fā)到環(huán)境中的熱量極少。底部路徑的效率越高，從頂部散發(fā)的能量就越少。
Equation1因此， 可使用 對一種高效率底面冷卻系統(tǒng)的 R_θJA進(jìn)行估算：

R_{θJC(bot 或 top)}，定義為在器件結(jié)與封裝表面之間用于散熱的熱阻，通常在制造商的數(shù)據(jù)表中給出。然而，在某些情況下，使用這個參數(shù)直接比較封裝的熱性能會帶來誤導(dǎo)，特別是對于不同類型的封裝。例如，當(dāng)采用 D2PAK 封裝時，同一個 600V Si MOSFET 的 R_θJC(bot) 值可能為 0.8°C/W，但采用 QFN 8x8 封裝時此參數(shù)的值為 0.6°C/W，原因在于 D²PAK 具有更厚的銅片。這并不意味著 QFN 8x8 封裝在熱性能方面比 D²PAK 更好。通過增加封裝熱阻 R_θJC(bot)，在 D²PAK 封裝中使用較厚的銅片進(jìn)行裸片連接，可以在熱流到達(dá) PCB 頂部銅層之前在封裝內(nèi)部實現(xiàn)更均勻的熱量分布。此外，熱片較大也使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠在 PCB 上增加更多的銅焊盤面積和散熱過孔，以降低其熱阻。PCB 上的散熱更有效，因此 R_θTIM 會隨之降低。因此，通過提高現(xiàn)有冷卻元件的效率和/或采用更有效的散熱解決方案，在散熱方面設(shè)計良好的封裝有助于提供系統(tǒng)級別的功率耗散能力，這一點(diǎn)非常重要。對于底面冷卻的表面貼裝封裝，其熱性能不可避免地與安裝板（以及附著的 TIM，如果使用）相耦合。Equation2為了更好地定義和比較不同封裝的熱性能，在以下章節(jié)中使用了一個實用指標(biāo) R_θJC/P（即從器件結(jié)到主冷卻平面的熱阻），其定義請參閱：

Equation2對于此定義， 中不包括 R_θH/S 或 R_θColdplate，因為它們獨(dú)立于器件封裝設(shè)計，更多地取決于其自身特性（如材料和結(jié)構(gòu)）和其他使用條件（如空氣/冷卻劑流速）。