7 總結(jié)

功率器件的封裝熱性能與其機(jī)械和電氣特性一樣重要，都會(huì)對系統(tǒng)效率、可靠性和功率密度產(chǎn)生影響。在散熱要求非常嚴(yán)苛的電源應(yīng)用中，大規(guī)模采用熱性能良好的封裝越來越重要。仿真結(jié)果表明，對于相同的 50m? 產(chǎn)品，采用 TI 新型 QFN 12x12 封裝后的 R_θJC/P 值比采用舊款 QFN 8x8 封裝低 45%。此外，TI 的 50m? GaN 功率級（采用 QFN 12x12 封裝）與競爭對手推出的具有相似導(dǎo)通電阻的 600V 和 650V 分立式器件（采用 TOLL 或 D²PAK 封裝）相比，前者的 R_θJC/P 大約低 16%。實(shí)驗(yàn)測試結(jié)果與仿真結(jié)果相差不到 8%。根據(jù)使用 LMG3422R030 器件的半橋設(shè)計(jì)，提供了一個(gè)特定用例。運(yùn)行功率為 4kW 的同步降壓轉(zhuǎn)換器在高側(cè)器件封裝頂部的實(shí)測外殼溫度為 99.3oC。在集成保護(hù)功能的條件下執(zhí)行高速和高頻開關(guān)操作時(shí)，TI 采用新型 QFN 12x12 封裝的高電壓 GaN 功率級可以從這種寬帶隙半導(dǎo)體中釋放出更多的功率，適合需要減少系統(tǒng)尺寸以及提高功率密度和功效的應(yīng)用。