ZHCAA86A October 2020 – February 2021 LMG3422R030 , LMG3422R050 , LMG3425R030 , LMG3425R050
4.2 熱仿真結(jié)果
在對功率器件設(shè)置 10W 損耗并對冷板設(shè)置 30°C 恒定溫度的條件下，執(zhí)行穩(wěn)態(tài)
FEA 熱仿真。在該熱模型中，假設(shè)器件產(chǎn)生的熱量僅通過傳導(dǎo)方式向下傳遞到冷板，而不通過對流或輻射機(jī)制進(jìn)行散熱。圖 4-4
中顯示了所研究的所有封裝模型的系統(tǒng)溫度分布。
Rθ
電路模型（圖 3-1）中不同節(jié)點(diǎn)處的溫度可從這些仿真結(jié)果中得出，用于計算不同節(jié)點(diǎn)間的熱阻。Equation3例如，RθJC/P 是使用如下所示的
計算得出的：
圖 4-4 不同封裝的溫度分布仿真結(jié)果：(a) QFN
8x8，(b) QFN 12x12 (50m?)，(c) QFN 12x12 (30m?)，(d) TOLL 和 (e) D2PAK
圖 4-5 不同表面貼裝封裝的 Rθ 仿真結(jié)果比較圖 4-5根據(jù)熱仿真結(jié)果， 給出了采用不同形式封裝的不同產(chǎn)品的 RθJC/P 計算值。顯然，對于同一個 50mΩ 導(dǎo)通電阻器件，QFN 12x12 封裝的 RθJC/P (2.64°C/W) 比 QFN 8x8 封裝的對應(yīng)值 (4.77°C/W) 降低 40% 以上。采用相同 QFN 12x12 封裝的 30m? 器件的性能略優(yōu)于 50m? 器件，這主要是因?yàn)閷?dǎo)通電阻較低器件的裸片尺寸較大。圖 4-5從 中所示的 Rθ 分解分析中可以看出，QFN 12x12 封裝的 RθJC/P 與前代 QFN 8x8 封裝相比已降低，主要是由于 RθPCB 和 RθTIM 的降低。此類熱性能改進(jìn)是利用其更大的散熱焊盤和封裝尺寸來實(shí)現(xiàn)的，這樣就可以在 PCB 設(shè)計中使用散熱效果更好的銅墊和更多的散熱過孔。QFN 12x12 封裝與其他用于分立式功率器件的底面冷卻式表面貼裝封裝（即 TOLL 和 D2PAK）相比，RθJC/P 降低了大約 16%，具有散熱優(yōu)勢。