1 引言

在快速充電適配器、數(shù)據(jù)中心、電信、電動汽車以及其他迫切需要普遍采用高密度、高效率電源系統(tǒng)的應(yīng)用中，高電壓 (> 600V) 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 正在逐步取代硅基晶體管，請參閱 GaN 讓能源利用率再上新臺階。由于減少或消除了引線引起的寄生效應(yīng)，在電源開關(guān)應(yīng)用中，表面貼裝型封裝比穿孔型（如 TO-247）更適合 GaN-HEMT 器件，更利于發(fā)揮此類器件的作用。德州儀器 (TI) 實施了一種直接驅(qū)動 GaN 解決方案，其實施方法是將高電壓 GaN 晶體管及其驅(qū)動器與集成保護功能一起封裝到一個四方扁平無引線 (QFN) 封裝中，請參閱GaN 器件的直接驅(qū)動配置。已完全發(fā)布的 LMG341x 產(chǎn)品系列針對導(dǎo)通電阻為 150、70 和 50m? 的器件采用相同的 QFN 8x8（即 8mm x 8mm 封裝尺寸）封裝，請參閱氮化鎵 (GaN) IC – 產(chǎn)品。通過這種表面貼裝封裝解決方案，TI 的 GaN 晶體管及其集成驅(qū)動器不僅消除了共源電感，顯著降低了柵極回路電感，還內(nèi)置了熱保護和電流保護功能，請參閱使用集成式驅(qū)動器優(yōu)化 GaN 性能。然而，裸露散熱焊盤的面積和封裝尺寸較小，因此這些產(chǎn)品的功率耗散能力受到限制。為了滿足高功率應(yīng)用日益增長的需求（如服務(wù)器和電信領(lǐng)域的 4kW 電源裝置），已經(jīng)為 TI 的下一代集成式 GaN 功率級 (LMG342x) 開發(fā)了新型 QFN 12x12 封裝。此應(yīng)用報告介紹了這種新封裝的熱性能。