ZHCACM7A january 2020 – may 2023 AFE5832 , AFE5832LP , ISO7741 , ISOW7841 , LM25037 , LM25180 , LM5180 , LM5181 , LM5181-Q1 , TX7316 , TX7332
5 布局指南
SEPIC 中的布局非常關(guān)鍵。在進行設(shè)計時，最重要的規(guī)則是降低大電流開關(guān)環(huán)路中的噪聲，如圖 5-1 所示。電流從輸入電源流向初級電感器并流經(jīng) MOSFET。為了更大限度地減小開關(guān)電流引起的電勢，需要盡可能降低該環(huán)路的寄生電感。元件（初級電感器、輸入電解電容器和 FET）必須盡可能彼此靠近放置。該布局中使用了一個接地平面，所有信號都返回到該低阻抗平面，如圖 5-2 所示。如果高壓電路放置在傳感器附近，則可能需要進行屏蔽，以更大限度地減少來自高壓部分的輻射干擾的影響。
圖 5-1 SEPIC 配置中的熱循環(huán)
圖 5-2 高壓布局部分