ZHCY146A April 2021 – December 2023 LM25149 , LM25149-Q1 , LM5156-Q1 , LM5157-Q1 , LM53635-Q1 , LM60440-Q1 , LM61460-Q1 , LM61495-Q1 , LMQ62440-Q1 , LMR33630-Q1 , LMS3655-Q1 , TPS55165-Q1 , UCC12040 , UCC12050
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- 概述
- 內(nèi)容概覽
- 什么是 EMI？
- 在低頻和高頻范圍內(nèi)降低 EMI 的傳統(tǒng)方法
- 降低低頻發(fā)射的創(chuàng)新技術(shù)
- 展頻
- 有源 EMI 濾波
- 消除繞組
- 降低高頻發(fā)射的創(chuàng)新技術(shù)
- HotRod? 封裝
- 增強(qiáng)型 HotRod QFN
- 集成式輸入旁路電容器
- 有效的壓擺率控制
- EMI 建模功能
- 采用 WEBENCH? 設(shè)計(jì)工具的低頻 EMI 設(shè)計(jì)
- 數(shù)據(jù)表中發(fā)布的傳導(dǎo)和輻射 EMI 結(jié)果
- 結(jié)語
- 低 EMI 的主要產(chǎn)品類別
集成式輸入旁路電容器
如前所述，由于更高的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，較大的輸入電源環(huán)路會導(dǎo)致在高頻頻帶上產(chǎn)生更高的發(fā)射。在器件封裝內(nèi)集成高頻輸入去耦電容器有助于更大程度地降低輸入環(huán)路寄生效應(yīng)，從而降低 EMI。降壓轉(zhuǎn)換器 LMQ62440-Q1 中采用了該技術(shù)，如下一頁上的圖 20 所示。除了減小輸入電源環(huán)路電感之外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使該解決方案不易受終端系統(tǒng)電路板布局布線變化的影響。
圖 19 增強(qiáng)型 HotRod QFN 封裝器件中的引腳排列和 PCB 布局布線。由于開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴增加而導(dǎo)致的頻帶。在器件封裝內(nèi)集成高頻輸入去耦電容器有助于更大程度地降低輸入環(huán)路寄生效應(yīng)，從而降低 EMI。降壓轉(zhuǎn)換器 LMQ62440-Q1 中采用了該技術(shù)，如圖 21 所示。除了減小輸入電源環(huán)路電感之外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使該解決方案不易受終端系統(tǒng)電路板布局布線變化的影響。
圖 20 HotRod 封裝器件與 Enhanced HotRod 封裝器件的 SW 節(jié)點(diǎn) FFT 對比。
圖 21 LMQ62440-Q1 器件中集成的兩個(gè)高頻輸入旁路電容器。圖 22 比較了 LMQ62440-Q1 在集成和未集成旁路電容器情況下的輻射 EMI（在相同電路板、相同條件下）。結(jié)果表明，更嚴(yán)格的電視頻帶（200MHz 至 230MHz）中的發(fā)射降低了 9dB，這有助于系統(tǒng)保持在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的 EMI 限制范圍內(nèi)，而無需在板上添加額外的元件。