ZHCY146A April 2021 – December 2023 LM25149 , LM25149-Q1 , LM5156-Q1 , LM5157-Q1 , LM53635-Q1 , LM60440-Q1 , LM61460-Q1 , LM61495-Q1 , LMQ62440-Q1 , LMR33630-Q1 , LMS3655-Q1 , TPS55165-Q1 , UCC12040 , UCC12050
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- 概述
- 內(nèi)容概覽
- 什么是 EMI？
- 在低頻和高頻范圍內(nèi)降低 EMI 的傳統(tǒng)方法
- 降低低頻發(fā)射的創(chuàng)新技術(shù)
- 展頻
- 有源 EMI 濾波
- 消除繞組
- 降低高頻發(fā)射的創(chuàng)新技術(shù)
- HotRod? 封裝
- 增強(qiáng)型 HotRod QFN
- 集成式輸入旁路電容器
- 有效的壓擺率控制
- EMI 建模功能
- 采用 WEBENCH? 設(shè)計(jì)工具的低頻 EMI 設(shè)計(jì)
- 數(shù)據(jù)表中發(fā)布的傳導(dǎo)和輻射 EMI 結(jié)果
- 結(jié)語(yǔ)
- 低 EMI 的主要產(chǎn)品類別
消除繞組
與非隔離式轉(zhuǎn)換器不同，跨越隔離邊界的額外發(fā)射路徑是導(dǎo)致隔離式轉(zhuǎn)換器共模 (CM) EMI 的主要原因。下一頁(yè)上的圖 15 展示了標(biāo)準(zhǔn)反激式轉(zhuǎn)換器中的隔離變壓器存在寄生電容。CM 電流可通過(guò)與每個(gè)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)關(guān)聯(lián)的寄生電容從初級(jí)側(cè)直接流入大地。CM 電流還由于繞組之間的寄生電容而從初級(jí)側(cè)流至次級(jí)側(cè)，從而導(dǎo)致測(cè)量的 CM EMI 增大。通常，您可以通過(guò)在輸入電源路徑中使用較大的 CM 扼流圈來(lái)降低這種額外的干擾。
圖 15 在反激式轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生寄生效應(yīng)的 CM EMI。為了幫助更大程度地減小無(wú)源濾波器件的尺寸，用于高功率密度 5V 至 20V 交流/直流適配器且采用硅 FET 的 65W 有源鉗位反激式參考設(shè)計(jì)針對(duì)隔離式轉(zhuǎn)換器采用了消除繞組和屏蔽的方法。如圖 16 所示，一種經(jīng)改進(jìn)的內(nèi)部變壓器結(jié)構(gòu)在內(nèi)部初級(jí)層和次級(jí)層之間插入了一個(gè)額外的輔助繞組層（以黑色顯示），以實(shí)現(xiàn) CM 平衡。輔助 CM 平衡層屏蔽了內(nèi)部的半初級(jí)層與次級(jí)層之間的界面，有助于生成消除 CM 電壓，以消除來(lái)自外部半初級(jí)層的 CM 注入。通過(guò)均衡從輔助繞組和初級(jí)外層到次級(jí)層的寄生電容，可幫助消除從外部半初級(jí)層注入到次級(jí)層的 CM 電流（通過(guò)從消除層注入反相 CM 電流）。凈效應(yīng)（流入次級(jí)層的 CM 電流幾乎為零）降低了 CM 發(fā)射，從而使用超少的 CM 濾波器件即可讓設(shè)計(jì)滿足 EMI 頻譜標(biāo)準(zhǔn)要求。
圖 16 使用屏蔽和消除繞組來(lái)降低反激式轉(zhuǎn)換器中的 EMI。