ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
要設(shè)置 OTG 輸出電壓限制，請使用圖 9-21、表 9-37 和表 9-38 中列出的數(shù)據(jù)格式寫入 REG0x3B()。
DAC 在數(shù)字核心中被鉗制在最小 3V 和最大 20.8V。任何低于最小值或高于最大值的寄存器寫入都將被忽略。當(dāng) REG0x32[2] = 1 時，不存在 DAC 失調(diào)電壓。當(dāng) REG0x32[2] = 0 時，DAC 偏移 1.28V
| 15 | 14 | 13 | 12 | 11 | 10 | 9 | 8 |
| 保留 | OTG 電壓，第 11 位 | OTG 電壓，第 10 位 | OTG 電壓，第 9 位 | OTG 電壓，第 8 位 | OTG 電壓，第 7 位 | OTG 電壓，第 6 位 | |
| R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | |
| 7 | 6 | 5 | 4 | 3 | 2 | 1 | 0 |
| OTG 電壓，第 5 位 | OTG 電壓，第 4 位 | OTG 電壓，第 3 位 | OTG 電壓，第 2 位 | OTG 電壓，第 1 位 | OTG 電壓，第 0 位 | 保留 | |
| 讀/寫 | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | R/W | |
| 說明：R/W = 讀/寫；R = 只讀；-n = 復(fù)位后的值 |
| SMBus 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 15-14 | 保留 | 讀/寫 | 00b | 未使用。1 = 無效寫入。 |
| 13 | OTG 電壓，第 11 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 16656mV 的 OTG 電壓。 |
| 12 | OTG 電壓，第 10 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 8328mV 的 OTG 電壓。 |
| 11 | OTG 電壓，第 9 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 4164mV 的 OTG 電壓。 |
| 10 | OTG 電壓，第 8 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 2082mV 的 OTG 電壓。 |
| 9 | OTG 電壓，第 7 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 1041mV 的 OTG 電壓。 |
| 8 | OTG 電壓，第 6 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 521mV 的 OTG 電壓。 |
| SMBus 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | OTG 電壓，第 5 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 260mV 的 OTG 電壓。 |
| 6 | OTG 電壓，第 4 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 130mV 的 OTG 電壓。 |
| 5 | OTG 電壓，第 3 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 65mV 的 OTG 電壓。 |
| 4 | OTG 電壓，第 2 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 33mV 的 OTG 電壓。 |
| 3 | OTG 電壓，第 1 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 16mV 的 OTG 電壓。 |
| 2 | OTG 電壓，第 0 位 | R/W | 0b | 0 = 增加 0mV 的 OTG 電壓。 1 = 增加 8.1mV 的 OTG 電壓。 |
| 1-0 | 保留 | 讀/寫 | 00b | 未使用。忽略值。 |