ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能模塊圖
- 9.3 特性說明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項(xiàng)
- 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（SMBus 地址 = 12h）[復(fù)位 = E70Eh]
- 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（SMBus 地址 = 30h）[復(fù)位 = 0211h]
- 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（SMBus 地址 = 31h）[復(fù)位 = 02B7h]
- 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（SMBus 地址 = 32h）[復(fù)位 = 0030h]
- 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（SMBus 地址 = 33h）[復(fù)位 = 4A65h]
- 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（SMBus 地址 = 34h）[復(fù)位 = 81A0h]
- 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（SMBus 地址 = 35h）[復(fù)位 = 2000h]
- 9.6.2 充電和 PROCHOT 狀態(tài)
- 9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 14h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 15h）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置的復(fù)位值]
- 9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置復(fù)位值]
- 9.6.6 用于動態(tài)電源管理的輸入電流和輸入電壓寄存器
- 9.6.7 OTGVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Bh）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.8 OTGCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 3Ch）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（SMBus 地址 = 23h）
- 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（SMBus 地址 = 24h）
- 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（SMBus 地址 = 25h）
- 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（SMBus 地址 = 26h）
- 9.6.13 ID 寄存器
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項(xiàng)
- 10應(yīng)用和實(shí)施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購信息
10.2.2.2 電感器選型
BQ25710 具有兩種可選的固定開關(guān)頻率。更高的開關(guān)頻率允許使用更小的電感器和電容器值。電感器飽和電流應(yīng)高于充電電流 (ICHG) 加上一半的紋波電流 (IRIPPLE)：
方程式 3. 
降壓運(yùn)行模式下的電感器紋波電流取決于輸入電壓 (VIN)、占空比 (DBUCK = VOUT/VIN)、開關(guān)頻率 (fS) 和電感 (L)：
方程式 4. 
在升壓運(yùn)行期間，占空比為：
DBOOST = 1 – (VIN/VBAT)
最大電感器紋波電流發(fā)生在 D = 0.5 或接近 0.5 時(shí)。例如，3 節(jié)電池組成的電池包的電池充電電壓范圍為 9V 至 12.6V。對于 20V 適配器電壓，10V 電池電壓可提供最大電感器紋波電流。另一個(gè)示例是 4 節(jié)電池，電池電壓范圍為 12V 至 16.8V，12V 電池電壓可提供最大的電感器紋波電流。
通常，電感器紋波的設(shè)計(jì)范圍為 (20–40%) 最大充電電流，這是實(shí)際設(shè)計(jì)中電感器尺寸和效率之間的折衷。