7 引腳配置和功能

圖 7-1 RSN 封裝32 引腳 WQFN頂視圖

表 7-1 引腳功能

引腳		I/O	說明
名稱	編號	I/O	說明
ACN	2	PWR	輸入電流檢測電阻負輸入。ACP 和 ACN 上的漏電流匹配。需要在檢測電阻與 ACN 引腳之間放置一個 R-C 低通濾波器，以抑制輸入電流信號中的高頻噪聲。有關(guān) ACP/ACN 濾波器設(shè)計，請參閱節(jié) 10。
ACP	3	PWR	輸入電流檢測電阻正輸入。ACP 和 ACN 上的漏電流匹配。需要在檢測電阻與 ACP 引腳之間放置一個 R-C 低通濾波器，以抑制輸入電流信號中的高頻噪聲。有關(guān) ACP/ACN 濾波器設(shè)計，請參閱節(jié) 10。
BATDRV	21	O	P 溝道電池 FET (BATFET) 柵極驅(qū)動器輸出。短接至 VSYS 可關(guān)斷 BATFET。比 VSYS 低 10V 可完全導通 BATFET。BATFET 處于線性模式，以便在電池電量耗盡時將 VSYS 調(diào)節(jié)至最小系統(tǒng)電壓。BATFET 在快速充電期間完全導通，并在補充模式下用作理想二極管。
BTST1	30	PWR	降壓模式高側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動器電源。在 SW1 和 BTST1 之間連接一個 0.047μF 電容器。REGN 和 BTST1 之間的自舉二極管為集成式二極管。
BTST2	25	PWR	升壓模式高側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動器電源。在 SW2 和 BTST2 之間連接一個 0.047μF 電容器。REGN 和 BTST2 之間的自舉二極管為集成式二極管。
CELL_BATPRESZ	18	I	用于 1-4 節(jié)電池設(shè)置的電芯選擇引腳。CELL_BATPRESZ 引腳從 VDDA 偏置。CELL_BATPRESZ 引腳還將 1 節(jié)電池的 SYSOVP 閾值設(shè)置為 5V，2 節(jié)電池的 SYSOVP 閾值設(shè)置為 12V，3 節(jié)/4 節(jié)電池的 SYSOVP 閾值設(shè)置為 19.5V。CELL_BATPRESZ 引腳拉至低于 V_{CELL_BATPRESZ_FALL} 以指示電池移除。器件退出學習模式并禁用充電。充電電壓寄存器 REG0x15() 恢復為默認值。
CHRG_OK	4	O	開漏高電平有效指示器，用于通知系統(tǒng)，正常電源已連接到充電器輸入端。通過 10kΩ 電阻器連接到上拉電源軌。當 VBUS 升至 3.5V 以上或降至 24.5V 以下時，經(jīng)過 50ms 抗尖峰脈沖時間后，CHRG_OK 為高電平。當 VBUS 降至 3.2V 以下或升至 26V 以上時，CHRG_OK 為低電平。發(fā)生任何故障時，CHRG_OK 置為低電平。
CMPIN	14	I	獨立比較器的輸入。獨立比較器將 CMPIN 引腳上檢測到的電壓與內(nèi)部基準電壓進行比較，其輸出位于 CMPOUT 引腳上?？赏ㄟ^ SMBus 主機選擇內(nèi)部基準、輸出極性和抗尖峰脈沖時間。極性為高電平 (REG0x30[6] = 1) 時，在 CMPIN 和 CMPOUT 之間放置一個電阻器，以對遲滯進行編程。極性為低電平 (REG0x30[6] = 0) 時，內(nèi)部遲滯為 100mV。如果未使用獨立比較器，則將 CMPIN 接地。
CMPOUT	15	O	獨立比較器的開漏輸出。將上拉電阻器從 CMPOUT 連接到上拉電源軌?？赏ㄟ^ SMBus 主機選擇內(nèi)部基準、輸出極性和抗尖峰脈沖時間。
COMP2	17	I	降壓/升壓轉(zhuǎn)換器補償引腳 2。有關(guān) COMP2 引腳 RC 網(wǎng)絡(luò)，請參閱 BQ2571X EVM 原理圖。
COMP1	16	I	降壓/升壓轉(zhuǎn)換器補償引腳 1。有關(guān) COMP1 引腳 RC 網(wǎng)絡(luò)，請參閱 BQ2571X EVM 原理圖。
OTG/VAP	5	I	高電平有效，以啟用 OTG 或 VAP 模式。當 REG0x32[5]=1 時，拉高 OTG/VAP 引腳并設(shè)置 REG0x32[12]=1 可以啟用 OTG 模式。當 REG0x32[5]=0 時，拉高 OTG/VAP 引腳將啟用 VAP 模式。
HIDRV1	31	O	降壓模式高側(cè)功率 MOSFET (Q1) 驅(qū)動器。連接到高側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。
HIDRV2	24	O	升壓模式高側(cè)功率 MOSFET (Q4) 驅(qū)動器。連接到高側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。
IADPT	8	O	適配器電流監(jiān)測輸出引腳。V_(IADPT) = 20 或 40 × (V_(ACP) – V_(ACN))，可在 REG0x12[4] 中選擇比率。在 IADPT 引腳與接地端之間放置一個與所用電感相對應(yīng)的電阻器。對于 2.2μH 電感，電阻器為 137kΩ。在 IADPT 引腳與接地端之間放置一個 100pF 或更小的陶瓷去耦電容器。IADPT 輸出電壓鉗位在 3.3V 以下。
IBAT	9	O	電池電流監(jiān)測輸出引腳。對于充電電流，V_(IBAT) = 8 或 16 × (V_(SRP) – V_(SRN))，對于放電電流，V_(IBAT) = 8 或 16 × (V_(SRN) – V_(SRP))，可在 REG0x12[3] 中選擇比率。在 IBAT 引腳與接地端之間放置一個 100pF 或更小的陶瓷去耦電容器。該引腳不使用時可以懸空。其輸出電壓鉗制在 3.3V 以下。
ILIM_HIZ	6	I	輸入電流限制設(shè)置引腳。通過在電源軌與 ILIM_HIZ 引腳之間連接一個電阻分壓器并接地，對 ILIM_HIZ 電壓進行編程。引腳電壓的計算公式為：V_{(ILIM_HIZ)} = 1V + 40 × IDPM × RAC，其中 IDPM 是目標輸入電流。充電器使用的輸入電流限制是 ILIM_HIZ 引腳和 REG0x3F() 的較低設(shè)置。當引腳電壓低于 0.4V 時，器件會以低靜態(tài)電流進入高阻態(tài)模式。當引腳電壓高于 0.8V 時，器件退出高阻態(tài)模式。
LODRV1	29	O	降壓模式低側(cè)功率 MOSFET (Q2) 驅(qū)動器。連接到低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。
LODRV2	26	O	升壓模式低側(cè)功率 MOSFET (Q3) 驅(qū)動器。連接到低側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極。
PGND	27	GND	器件電源接地。
PROCHOT	11	O	處理器熱量指示器的低電平有效開漏輸出。它監(jiān)測適配器輸入電流、電池放電電流和系統(tǒng)電壓。觸發(fā) PROCHOT 曲線中的任何事件后，系統(tǒng)會將一個脈沖置為有效?？稍?REG0x21[14:11] 中調(diào)節(jié)最小脈沖寬度。
PSYS	10	O	電流模式系統(tǒng)功率監(jiān)測器。輸出電流與適配器和電池的總功率成正比?？赏ㄟ^ SMBus 選擇增益。在 PSYS 與接地端之間放置一個電阻器以生成輸出電壓。該引腳不使用時可以懸空。其輸出電壓鉗位在 3.3V 以下。將一個電容器與電阻器并聯(lián)以進行濾波。
REGN	28	PWR	由 VBUS 或 VSYS 供電的 6V 線性穩(wěn)壓器輸出。當 VBUS 高于 V_{VBUS_CONVEN} 時，LDO 處于活動狀態(tài)。在 REGN 與電源地之間連接一個 2.2μF 或 3.3μF 陶瓷電容器。REGN 引腳輸出用于功率級柵極驅(qū)動器。
SCL	13	I	SMBus 時鐘輸入。連接到主機控制器或智能電池的時鐘線。根據(jù) SMBus 規(guī)范連接一個 10kΩ 上拉電阻器。
SDA	12	I/O	SMBus 開漏數(shù)據(jù) I/O。連接到主機控制器或智能電池的數(shù)據(jù)線。根據(jù) SMBus 規(guī)范連接一個 10kΩ 上拉電阻器。
SRN	19	PWR	充電電流檢測電阻負輸入。SRN 引腳也用于電池電壓檢測。將帶有可選 0.1μF 陶瓷電容器的 SRN 引腳連接到 GND 以實現(xiàn)共模濾波。在 SRP 和 SRN 之間連接一個 0.1μF 陶瓷電容器以提供差模濾波。SRP 和 SRN 上的漏電流匹配。
SRP	20	PWR	充電電流檢測電阻正輸入。將帶有可選 0.1μF 陶瓷電容器的 SRP 引腳連接到 GND 以實現(xiàn)共模濾波。在 SRP 和 SRN 之間連接一個 0.1μF 陶瓷電容器以提供差模濾波。SRP 和 SRN 上的漏電流匹配。
SW1	32	PWR	降壓模式高側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動器源。連接到高側(cè) N 溝道 MOSFET 的源極。
SW2	23	PWR	升壓模式高側(cè)功率 MOSFET 驅(qū)動器源。連接到高側(cè) N 溝道 MOSFET 的源極。
VBUS	1	PWR	充電器輸入電壓。建議使用 1Ω 和 0.47μF（最小值）的輸入低通濾波器。
VDDA	7	PWR	內(nèi)部基準偏置引腳。在 REGN 與 VDDA 之間連接一個 10Ω 電阻器，在 VDDA 與電源地之間連接一個 1μF 陶瓷電容器。
VSYS	22	PWR	充電器系統(tǒng)電壓檢測。在 REG0x15() 和 REG0x3E() 中對系統(tǒng)電壓調(diào)節(jié)限制進行編程。
散熱焊盤	–	-	IC 下方的外露焊盤。始終將散熱焊盤焊接到電路板上，并在連接到電源接地層的散熱焊盤平面上留有過孔。它用作散熱焊盤以進行散熱。