ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能模塊圖
- 9.3 特性說明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項
- 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（SMBus 地址 = 12h）[復(fù)位 = E70Eh]
- 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（SMBus 地址 = 30h）[復(fù)位 = 0211h]
- 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（SMBus 地址 = 31h）[復(fù)位 = 02B7h]
- 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（SMBus 地址 = 32h）[復(fù)位 = 0030h]
- 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（SMBus 地址 = 33h）[復(fù)位 = 4A65h]
- 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（SMBus 地址 = 34h）[復(fù)位 = 81A0h]
- 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（SMBus 地址 = 35h）[復(fù)位 = 2000h]
- 9.6.2 充電和 PROCHOT 狀態(tài)
- 9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 14h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 15h）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置的復(fù)位值]
- 9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置復(fù)位值]
- 9.6.6 用于動態(tài)電源管理的輸入電流和輸入電壓寄存器
- 9.6.7 OTGVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Bh）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.8 OTGCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 3Ch）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（SMBus 地址 = 23h）
- 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（SMBus 地址 = 24h）
- 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（SMBus 地址 = 25h）
- 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（SMBus 地址 = 26h）
- 9.6.13 ID 寄存器
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項
- 10應(yīng)用和實施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購信息
9.3.9 處理器熱量指示
當(dāng) CPU 運行渦輪模式時，系統(tǒng)峰值功率可能會超過適配器和電池的可用功率總和。適配器電流和電池放電峰值電流或系統(tǒng)壓降表明系統(tǒng)功耗過高。充電器處理器熱量函數(shù)會監(jiān)測這些事件，如果系統(tǒng)功耗過高，則 PROCHOT 脈沖將置為有效。一旦 CPU 從充電器接收到 PROCHOT 脈沖，它就會減慢速度以降低系統(tǒng)功耗。由處理器熱量函數(shù)監(jiān)測的事件包括：
- ICRIT：適配器峰值電流，為 ILIM2 的 110%
- INOM：適配器平均電流（輸入電流限制的 110%）
- IDCHG：電池放電電流
- VSYS：VSYS 上的系統(tǒng)電壓
- 適配器移除：移除適配器后（CHRG_OK 引腳從高電平變?yōu)榈碗娖剑?/li>
- 電池移除：移除電池后（CELL_BATPRESZ 引腳變?yōu)榈碗娖剑?/li>
- CMPOUT：獨立比較器輸出（CMPOUT 引腳從高電平變?yōu)榈碗娖剑?/li>
- VDPM：VBUS 低于 VINDPM 閾值的 80%/90%/100%。
- EXIT_VAP：每當(dāng)充電器退出 VAP 模式時。
可通過 SMBus 對 ICRIT、IDCHG、VSYS 或 VDPM 的閾值以及 ICRIT、INOM、IDCHG 或 CMPOUT 的抗尖峰脈沖時間進行編程。除了 PROCHOT_EXIT_VAP 始終處于啟用狀態(tài)外，其他觸發(fā)事件可在 REG0x34[7:0] 中單獨啟用。觸發(fā) PROCHOT 曲線中的任何已啟用事件后，PROCHOT 在單脈沖中被置為低電平，其最小寬度可在 REG0x21[13:12] 中編程。在單脈沖結(jié)束時，如果 PROCHOT 事件仍處于活動狀態(tài)，則脈沖會擴展，直到事件被移除。
如果通過設(shè)置 REG0x21[14] = 1 啟用 PROCHOT 脈沖擴展模式，即使觸發(fā)事件已被移除，PROCHOT 引腳也將保持低電平，直到主機寫入 REG0x21[11]21[11] = 0。
如果觸發(fā)了 PROCHOT_VDPM 或 PROCHOT_EXIT_VAP，則無論 PROCHOT 處于單脈沖模式還是擴展模式，PROCHOT 引腳都將始終保持低電平，直到主機將其清除。
圖 9-2 PROCHOT 曲線