ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說(shuō)明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說(shuō)明
- 9.1 概述
- 9.2 功能模塊圖
- 9.3 特性說(shuō)明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項(xiàng)
- 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（SMBus 地址 = 12h）[復(fù)位 = E70Eh]
- 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（SMBus 地址 = 30h）[復(fù)位 = 0211h]
- 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（SMBus 地址 = 31h）[復(fù)位 = 02B7h]
- 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（SMBus 地址 = 32h）[復(fù)位 = 0030h]
- 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（SMBus 地址 = 33h）[復(fù)位 = 4A65h]
- 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（SMBus 地址 = 34h）[復(fù)位 = 81A0h]
- 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（SMBus 地址 = 35h）[復(fù)位 = 2000h]
- 9.6.2 充電和 PROCHOT 狀態(tài)
- 9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 14h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 15h）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置的復(fù)位值]
- 9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置復(fù)位值]
- 9.6.6 用于動(dòng)態(tài)電源管理的輸入電流和輸入電壓寄存器
- 9.6.7 OTGVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Bh）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.8 OTGCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 3Ch）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（SMBus 地址 = 23h）
- 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（SMBus 地址 = 24h）
- 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（SMBus 地址 = 25h）
- 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（SMBus 地址 = 26h）
- 9.6.13 ID 寄存器
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項(xiàng)
- 10應(yīng)用和實(shí)施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購(gòu)信息
10.2.2.5 功率 MOSFET 選擇
四個(gè)外部 N 溝道 MOSFET 用于同步開(kāi)關(guān)電池充電器。柵極驅(qū)動(dòng)器在內(nèi)部集成到具有 6V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓的 IC 中。對(duì)于 19V 至 20V 輸入電壓，首選 30V 或更高額定電壓的 MOSFET。
品質(zhì)因數(shù) (FOM) 通常用于根據(jù)導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的權(quán)衡來(lái)選擇合適的 MOSFET。對(duì)于頂部 MOSFET，F(xiàn)OM 定義為 MOSFET 導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 與柵漏電荷 QGD 的乘積。對(duì)于底部 MOSFET，F(xiàn)OM 定義為 MOSFET 導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 與總柵極電荷 QG 的乘積。
FOM 值越低，總功率損耗越低。通常，在相同的封裝尺寸下，較低的 RDS(ON) 具有較高的成本。
頂部 MOSFET 損耗包括導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。它是占空比 (D=VOUT/VIN)、充電電流 (ICHG)、MOSFET 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))、輸入電壓 (VIN)、開(kāi)關(guān)頻率 (fS)、導(dǎo)通時(shí)間 (ton) 和關(guān)斷時(shí)間 (toff) 的函數(shù)：
第一項(xiàng)表示導(dǎo)通損耗。通常，MOSFET RDS(ON) 在結(jié)溫升高 100°C 時(shí)增加 50%。第二項(xiàng)表示開(kāi)關(guān)損耗。MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間的計(jì)算公式如下：
其中 Qsw 是開(kāi)關(guān)電荷，Ion 是導(dǎo)通柵極驅(qū)動(dòng)電流，Ioff 是關(guān)斷柵極驅(qū)動(dòng)電流。如果 MOSFET 數(shù)據(jù)表中未給出開(kāi)關(guān)電荷，則可通過(guò)柵漏電荷 (QGD) 和柵源電荷 (QGS) 來(lái)估算開(kāi)關(guān)電荷：
可通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器的 REGN 電壓 (VREGN)、MOSFET 平坦電壓 (Vplt)、總導(dǎo)通柵極電阻 (Ron) 和關(guān)斷柵極電阻 (Roff) 來(lái)估算柵極驅(qū)動(dòng)電流：
當(dāng)?shù)撞?MOSFET 在同步連續(xù)導(dǎo)通模式下運(yùn)行時(shí)，其導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式如下：
當(dāng)充電器在非同步模式下運(yùn)行時(shí)，底部 MOSFET 關(guān)斷。因此，所有續(xù)流電流都流過(guò)底部 MOSFET 的體二極管。體二極管功率損耗取決于其正向壓降 (VF)、非同步模式充電電流 (INONSYNC) 和占空比 (D)。
對(duì)于 10mΩ 充電電流檢測(cè)電阻，非同步模式下的最大充電電流可達(dá) 0.25A，如果電池電壓低于 2.5V，則可達(dá) 0.5A。當(dāng)電池電壓最低時(shí)，占空比最小。選擇具有能夠承載最大非同步模式充電電流的內(nèi)部肖特基二極管或體二極管的底部 MOSFET。