ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
在具有足夠的充電電流或系統(tǒng)電流的情況下，電感器電流不會超過 0A，這定義為 CCM?？刂破鏖_始一個新的周期，斜坡從 200mV 上升。只要誤差放大器輸出電壓高于斜坡電壓，高側(cè) MOSFET (HSFET) 就會保持導通狀態(tài)。當斜坡電壓超過誤差放大器輸出電壓時，HSFET 關(guān)斷，低側(cè) MOSFET (LSFET) 導通。在周期結(jié)束時，斜坡會復(fù)位且 LSFET 關(guān)斷，為下一個周期做好準備。在轉(zhuǎn)換過程中始終存在先斷后合邏輯，以防止跨導和擊穿。在兩個 MOSFET 均關(guān)斷的死區(qū)時間內(nèi)，低側(cè)功率 MOSFET 的體二極管傳導電感器電流。
在 CCM 期間，電感器電流始終流動并形成固定的雙極系統(tǒng)。在 HSFET 處于關(guān)斷狀態(tài)時使 LSFET 導通，這可保持較低的功耗，并允許在大電流下安全充電。