ZHCSIH7B july 2018 – april 2023 BQ25710
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 說明（續(xù)）
- 6 器件比較表
- 7 引腳配置和功能
- 8 規(guī)格
-
9 詳細(xì)說明
- 9.1 概述
- 9.2 功能模塊圖
- 9.3 特性說明
- 9.4 器件功能模式
- 9.5 編程
- 9.6
寄存器映射
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項(xiàng)
- 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器（SMBus 地址 = 12h）[復(fù)位 = E70Eh]
- 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器（SMBus 地址 = 30h）[復(fù)位 = 0211h]
- 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器（SMBus 地址 = 31h）[復(fù)位 = 02B7h]
- 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器（SMBus 地址 = 32h）[復(fù)位 = 0030h]
- 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器（SMBus 地址 = 33h）[復(fù)位 = 4A65h]
- 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器（SMBus 地址 = 34h）[復(fù)位 = 81A0h]
- 9.6.1.7 ADCOption 寄存器（SMBus 地址 = 35h）[復(fù)位 = 2000h]
- 9.6.2 充電和 PROCHOT 狀態(tài)
- 9.6.3 ChargeCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 14h）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.4 MaxChargeVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 15h）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置的復(fù)位值]
- 9.6.5 MinSystemVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Eh）[基于 CELL_BATPRESZ 引腳設(shè)置復(fù)位值]
- 9.6.6 用于動態(tài)電源管理的輸入電流和輸入電壓寄存器
- 9.6.7 OTGVoltage 寄存器（SMBus 地址 = 3Bh）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.8 OTGCurrent 寄存器（SMBus 地址 = 3Ch）[復(fù)位 = 0000h]
- 9.6.9 ADCVBUS/PSYS 寄存器（SMBus 地址 = 23h）
- 9.6.10 ADCIBAT 寄存器（SMBus 地址 = 24h）
- 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器（SMBus 地址 = 25h）
- 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器（SMBus 地址 = 26h）
- 9.6.13 ID 寄存器
- 9.6.1
設(shè)置充電和 PROCHOT 選項(xiàng)
- 10應(yīng)用和實(shí)施
- 11電源相關(guān)建議
- 12布局
- 13器件和文檔支持
- 14機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RSN|32
訂購信息
9.3.6.2 高精度功率檢測放大器 (PSYS)
充電器監(jiān)控系統(tǒng)總功率。在正向模式期間，輸入適配器為系統(tǒng)供電。在反向 OTG 模式下，電池為系統(tǒng)和 VBUS 輸出供電。PSYS 引腳輸出電流與系統(tǒng)總功率之比 KPSYS 可被設(shè)定為 REG0x30[9]，默認(rèn)值為 1μA/W。在 REG0x30[11:10] 中選擇輸入和充電檢測電阻（RAC 和 RSR）。PSYS 電壓可通過方程式 1 計(jì)算得出，其中當(dāng)充電器在連接適配器的情況下正向充電時，IIN>0 IBAT<0，當(dāng)電池處于放電模式時 IBAT>0。
方程式 1. 
為確保 PSYS 功能正常，RAC 和 RSR 值限制在 10mΩ 和 20mΩ。
為了盡可能減小靜態(tài)電流，默認(rèn)情況下會禁用 PSYS 功能。可通過設(shè)置 REG0x30[12] = 1 來啟用此功能。